一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液制造技术

本申请公开了一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，该腐蚀液由溶剂、氧化剂、腐蚀剂和缓冲剂按设定比例混合而成，其中，溶剂为去离子水；氧化剂为硫酸；腐蚀剂为盐酸；缓冲剂为乙酸。本申请的腐蚀液能够有效去除单晶抛光片表面在前期加工中残留的颗粒及杂质。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液
本专利技术涉及半导体材料领域，具体涉及一种在锑化镓单晶抛光片的加工过程中使用的化学腐蚀液，该腐蚀液能够有效去除锑化镓单晶抛光片表面残留的杂质及颗粒。
技术介绍
锑化镓(GaSb)是一种非常重要的II1-V族直接带隙半导体材料，其作为衬底生长的二元、三元、四元系半导体材料的禁带宽度完全覆盖了 2-5Pm中红外波段。AlSb、GaSb、InAs的晶格常数在6.1A附近，相互之间的晶格失配很小，有利于生长高质量低缺陷密度的外延材料，这使得GaSb成为研制II类超晶格中红外波段激光器、探测器的理想衬底材料。目前锑化镓基中红外激光器、探测器已广泛用于夜视、通讯、气象、大气监测、工业探伤、地球资源探测、测温等军用和民用领域。现代红外成像技术的发展也对晶片材料提出了更高的要求，获得良好表面质量的锑化镓衬底晶片材料，对锑化镓衬底的外延生长至关重要。锑化镓衬底晶片的加工过程一般包括切割、磨边、研磨、抛光、清洗等加工工序，其中清洗的作用在于进一步提高抛光之后的表面的平整度、粗糙度和清洁度的，减少残留颗粒和杂质，以满足后续外延生长的要求。因此需要一种适合锑化镓材料的腐蚀液。
技术实现思路
针对
技术介绍
中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，该腐蚀液能够有效去除单晶抛光片表面在前期加工中残留的颗粒及杂质。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的: 一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，所述腐蚀液由溶剂、氧化剂、腐蚀剂和缓冲剂按设定比例混合而成，其中，所述溶剂为去离子水；所述氧化剂为硫酸；所述腐蚀剂为盐酸；所述缓冲剂为乙酸。进一步，所述硫酸的体积百分数为5%_10%。进一步，所述盐酸的体积百分数为1%_5%。 进一步，所述乙酸体积百分数为20%_25%的。进一步，所述腐蚀液的典型pH值为4.5-5.6。进一步，所述硫酸的浓度为98%。进一步，所述盐酸的浓度为35%。进一步，所述去离子水的电阻率为18ΜΩ，硫酸的体积百分数为8%，盐酸的体积百分数为3%，乙酸的体积百分数为25%，腐蚀液的pH值5.4。本专利技术具有以下积极的技术效果:本申请的腐蚀液能够有效去除单晶抛光片表面在前期加工中残留的颗粒及杂质。【具体实施方式】本申请提供了一种用于II1-V族化合物半导体材料锑化镓单晶抛光片清洗的晶片腐蚀液，其采用去离子水作为溶剂，并含有体积百分数为5%-10%的硫酸作为氧化剂；含有体积百分数为1%_5%的盐酸作为腐蚀剂；含有体积百分数为20%-25%的乙酸作为缓冲剂，其典型的pH值为4.5-5.6。本申请的去离子的电阻率大于18ΜΩ，其中钾、钙、钠等典型金属杂质含量很低，不会对晶片表面造成沾污。其中，本申请的硫酸浓度为98%，具有极强氧化性；盐酸浓度为35%，对锑化镓晶片表面具有腐蚀性，与硫酸混合作为酸性的氧化腐蚀剂；乙酸为弱酸，作为缓冲剂调控溶液pH值。作为本专利技术的一个优选实例，用于锑化镓单晶抛光片的腐蚀液为无色透明液体，采用电阻率为18ΜΩ的去离子水为溶剂；含有体积百分数为8%硫酸；含有体积百分数为3%的盐酸；含有体积百分数为25%的乙酸，pH值5.4。上面所述只是为了说明本专利技术，应该理解为本专利技术并不局限于以上实施例，符合本专利技术思想的各种变通形式均在本专利技术的保护范围之内。【主权项】1.一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液由溶剂、氧化剂、腐蚀剂和缓冲剂按设定比例混合而成，其中，所述溶剂为去离子水；所述氧化剂为硫酸；所述腐蚀剂为盐酸；所述缓冲剂为乙酸。2.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述硫酸的体积百分数为5%-10%。3.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述盐酸的体积百分数为1%_5%。4.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述乙酸体积百分数为20%-25%的。5.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液的典型pH 值为 4.5-5.6。6.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述硫酸的浓度为98%。7.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述盐酸的浓度为35%。8.根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述去离子水的电阻率为18M Ω，硫酸的体积百分数为8%，盐酸的体积百分数为3%，乙酸的体积百分数为25%，腐蚀液的pH值5.4。【专利摘要】本申请公开了一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，该腐蚀液由溶剂、氧化剂、腐蚀剂和缓冲剂按设定比例混合而成，其中，溶剂为去离子水；氧化剂为硫酸；腐蚀剂为盐酸；缓冲剂为乙酸。本申请的腐蚀液能够有效去除单晶抛光片表面在前期加工中残留的颗粒及杂质。【IPC分类】C11D7/60, C11D7/26, C11D7/08【公开号】CN105349290【申请号】CN201510820117【专利技术人】刘彤, 杨俊 , 刘京明, 董志远, 赵有文 【申请人】北京华进创威电子有限公司【公开日】2016年2月24日【申请日】2015年11月24日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液由溶剂、氧化剂、腐蚀剂和缓冲剂按设定比例混合而成，其中，所述溶剂为去离子水；所述氧化剂为硫酸；所述腐蚀剂为盐酸；所述缓冲剂为乙酸。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘彤，杨俊，刘京明，董志远，赵有文，
申请(专利权)人：北京华进创威电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11