【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种单晶炉硅溶液液面位置检测方法、装置及对应的调整系统，其中该方法包括：向信号输入端输入电压信号，其中信号输入端的下端面始终位于硅溶液液面的下方；通过检测第一测量端和第二测量端的电压信号，获取第一测量端和第二测量端的电压信号检测状态；根据电压信号检测状态，生成用于指示硅溶液液面是否处于合理位置的检测结果。本专利技术利用硅溶液的导电性，在向信号输入端输入电压信号后，通过获取第一测量端和第二测量端的电压信号检测状态，自动并精确检测硅溶液液面位置，从而精确判断硅溶液液面是否处于合理位置，并进一步对坩埚位置进行相应调整，使硅溶液液面始终保持在合理位置。【专利说明】单晶炉硅溶液液面位置检测方法、装置及调整系统
本专利技术涉及单晶硅制备
，尤其涉及一种单晶炉硅溶液液面位置检测方法、装置及调整系统。
技术介绍
直拉法单晶炉在生产单晶硅的过程中，要经历抽空检漏、加热化料、引晶、放大转肩、等径、收尾等多个阶段。其中，从引晶过程开始后就需要控制硅溶液液面位置，从而为晶体生长创造一个合适的温度场。在该过程中，随着硅单晶棒的不断生长，硅溶液液面位置会随...
【技术保护点】
一种单晶炉硅溶液液面位置检测方法，其特征在于，所述方法包括：向信号输入端输入电压信号，其中所述信号输入端的下端面始终位于所述硅溶液液面的下方；通过检测第一测量端和第二测量端的电压信号，获取所述第一测量端和所述第二测量端的电压信号检测状态，其中所述第一测量端和所述第二测量端的下端面分别与所述硅溶液液面的合理位置的最高位置和最低位置齐平；根据所述电压信号检测状态，生成用于指示所述硅溶液液面是否处于合理位置的检测结果。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：时刚，武海军，张灵鸽，赵辉，
申请(专利权)人：西安创联新能源设备有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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