【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种镁合金,特别涉及ー种含有稀土铈的具有高強度和高电磁屏蔽性能的变形镁合金材料。
技术介绍
电磁辐射引起的电磁干扰已经逐渐渗透人类生活的各个领域同时带来了一系列严峻的问题。电磁干扰不仅影响电子电气设备、通信设备工作的稳定性、安全性以及可靠性,而且日益威胁并危害着人类的身体健康。据报道,长期处于电磁环境中的人,免疫系统、神经系统、生殖系统极易受到伤害,并且容易诱发心血管疾病、糖尿病、癌突变等。此外,在现代化战场上,电磁环境趋于复杂,除了雷电、静电等自然电磁干扰源之外,还出现了更为強烈的人为干扰源。当这些干扰源发射的电磁波穿透武器系统的敏感器件时,其危害足以使武器装备瞬间失去战斗力。并且随着军事技术的进歩,电磁波普不仅仅停留在无线电波段范围内,正迅速向低端声频、次声频和高端光频扩展,这种极具杀伤カ的电磁波对未来军 事战场上信息安全与设备防护提出了巨大的挑战。因此,发展电磁屏蔽技术、減少电磁辐射干扰在当今社会显得十分重要。高性能屏蔽材料的研发是电磁屏蔽的一个关键环节。目前,广泛使用的屏蔽材料主要是金属材料(银、铜、镍等)、铁磁性材料(坡莫合金、高导磁率合 ...
【技术保护点】
一种含稀土铈的高强度高电磁屏蔽性能变形镁合金,其特征在于,所述镁合金由Mg、Zn、Zr和Ce组成,各组分的质量百分含量为:Zn:5.50~5.80?wt.%;Zr:0.45~0.60?wt.%;Ce:0.45~1.90?wt.%,其余为Mg和不可避免的杂质;不可避免的杂质为Fe、Si等,其总量<0.05?wt.%。
【技术特征摘要】
1.一种含稀土铈的高強度高电磁屏蔽性能变形镁合金,其特征在于,所述镁合金由Mg、Zn、Zr和Ce组成,各组分的质量百分含量为Ζη :5· 50 5· 80 wt. % ;Zr :0. 45 0· 60 wt. % ;Ce :0. 45 I. 90 wt. %,其余为Mg和不可避免的杂质;不可避免的杂质为Fe、Si等,其总量< O. 05 wt. %。2.根据权利要求I所述的含稀土铈的高強度高电磁屏蔽性能变形镁合金,其特征在于,所述镁合金各组分的百分含量为Zn :5. 80 wt. % ;Zr 0. 51 wt. % ;Ce 1. 16 wt.%,其余为Mg和不可避免的杂质。3.如...
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