一种氧化铈磨料制备方法及其CMP抛光应用技术

本发明专利技术公开了一种氧化铈制备方法，其包括：步骤一：将pH调节剂、沉淀剂和铈源混匀，通过控制pH，制备得到碱式碳酸铈前驱体，其中，制备得到的所述碳酸铈前驱体为六方相、斜方相碳酸铈前驱体或两者的混合物；步骤二：进一步高温焙烧所得碱式碳酸铈得到氧化铈。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开了一种氧化铈制备方法及其CMP抛光应用。
技术介绍
目前，氧化铈作为磨料应用于浅沟槽隔离(STI)工艺抛光研究已有大量报道，(如专利201310495424.5，200510069987.3)。这主要是由于其对二氧化硅的高抛光活性，并且在较低的固含量下即可达到高的抛光效果。因此，以氧化铈为磨料的化学机械抛光液在性能和成本上相比于传统的氧化硅或氧化铝材料具有更大的应用前景和市场优势。当以氧化铈作为磨料，其自身的颗粒特性对抛光效果的影响至关重要。如在STI抛光应用中，有文献报道氧化铈颗粒尺寸、形貌特征对抛光过程中缺陷的产生和抛光速率选择比均有着重要影响。目前，基于STI抛光应用需求的氧化铈磨料特性控制合成相关研究报道较少。氧化铈的合成方法报道较多(如专利200880011138.4，200880008484.7)，常用的方法为首先合成碳酸铈，进一步高温焙烧碳酸铈合成得到氧化铈粉体。已有的研究(如专利200880011138.4，200880008484.7)指出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氧化铈颗粒制备方法，其包括：步骤一：将pH调节剂、沉淀剂和铈源混匀，通过控制pH，制备得到碱式碳酸铈前驱体，其中，制备得到的所述碳酸铈前驱体为六方相、斜方相碳酸铈前驱体或两者的混合物；步骤二：进一步高温焙烧所得碱式碳酸铈得到氧化铈颗粒。

【技术特征摘要】
1.一种氧化铈颗粒制备方法，其包括：
步骤一：将pH调节剂、沉淀剂和铈源混匀，通过控制pH，制备得到碱式
碳酸铈前驱体，其中，制备得到的所述碳酸铈前驱体为六方相、斜方相碳
酸铈前驱体或两者的混合物；
步骤二：进一步高温焙烧所得碱式碳酸铈得到氧化铈颗粒。
2.如权利要求1所述的制备方法，其中，所述沉淀剂为含有碳酸根或碳酸
氢根的可溶性盐。
3.如权利要求1所述的制备方法，其中，所述沉淀剂为碳酸铵、碳酸氢铵
及碱金属碳酸盐类化合物。
4.如权利要求1所述的制备方法，其中，所述铈源为可溶性铈盐。
5.如权利要求1所述的制备方法，其中，所述铈源为硝酸铈、氯化铈、醋
酸铈中一种或多种。
6.如权利要求1所述的制备方法，其中，以铈离子计，所述铈源的摩尔...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹先升，贾长征，房庆华，周仁杰，王雨春，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31