镀膜件及其制造方法技术

技术编号:8265551 阅读:133 留言:0更新日期:2013-01-30 19:46
本发明专利技术提供一种镀膜件,包括基体、依次形成于基体上的呈白色的第一膜层及第二膜层;该第一膜层主要由Zn和O两种元素组成;该第二膜层主要由Al和Si中的任一种、O及N三种元素组成。该镀膜件呈现出纯正的骨瓷质感的外观。本发明专利技术还提供了所述镀膜件的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,尤其涉及一种具有骨瓷质感的。
技术介绍
现有技术,通常采用 喷涂、阳极处理及PVD镀膜等技术于电子产品(如手机、PDA等)的壳体表面形成装饰性膜层,以使壳体呈现出彩色的外观。然而,上述壳体虽然呈现出彩色的外观,却不能呈现出如骨瓷般的洁白、细腻、通透、清洁等视觉或外观效果。传统的骨瓷产品的制作方法是以动物骨灰(主要成分为Ca3(PO4)2X优质高岭土及石英为基本原料,经过高温素烧和低温釉烧两次烧制而成,其制作工艺复杂、成品率低、价格十分高昂,因而难以实现大批量地工业生产。此外,传统的骨瓷产品还具有轻脆易碎的特点。
技术实现思路
鉴于此,本专利技术提供一种具有骨瓷质感的镀膜件。另外,本专利技术还提供一种上述镀膜件的制造方法。一种镀膜件,包括基体、依次形成于基体上的呈白色的第一膜层及第二膜层;该第一膜层主要由Zn和O两种元素组成;该第二膜层主要由Al和Si中的任一种、O及N三种元素组成。一种镀膜件的制造方法,其包括如下步骤 提供基体; 采用真空镀膜法,以锌靶为靶材,在该基体的表面形成一锌层; 关闭所述锌靶,使用氧气对该锌层进行热处理制得第一膜层,该第一膜层主要由Zn和O两种元素组成;采用真空镀膜法,以铝、铝合金、硅或硅合金为靶材,以氧气及氮气为反应气体,在该第一膜层上形成第二膜层,该第二膜层主要由Al和Si中的任一种、O及N三种元素组成; 对所述第二膜层的表面进行精抛处理。所述第一膜层呈白色,覆盖于该第一膜层上溅射无色透明的第二膜层,该二膜层结合使该镀膜件呈现出纯正的骨瓷质感的外观。相较于传统的骨瓷产品,该镀膜件的制作方法简单、良率较高、生产成本较低且几乎没有环境污染,可实现大批量地工业生产,因而可运用于3C电子产品壳体、建筑装饰件、汽车装饰件及家居生活用品等诸多产品中。附图说明图I是本专利技术一较佳实施例镀膜件的剖视 图2是本专利技术一较佳实施例真空镀膜机的示意图。主要元件符号说明权利要求1.一种镀膜件,包括基体,其特征在于该镀膜件还包括依次形成于基体上的呈白色的第一膜层及第二膜层;该第一膜层主要由Zn和O两种元素组成;该第二膜层主要由Al和Si中的任一种、O及N三种元素组成。2.如权利要求I所述的镀膜件,其特征在于所述第一膜层中Zn的质量百分含量为70 78%,O的质量百分含量为22 30%。3.如权利要求I所述的镀膜件,其特征在于所述第一膜层的色度区域于CIELAB表色系统的L*坐标为89至93, a*坐标为-O. 5至O. 5, b*坐标为-O. 5至O. 5。4.如权利要求I所述的镀膜件,其特征在于当第二膜层主要由A1、0及N三种元素组成时,其中Al的质量百分含量为6(Γ70%,0的质量百分含量为25 28%,Ν的质量百分含量为2 15%。5.如权利要求I所述的镀膜件,其特征在于当第二膜层主要由Si、0及N三种元素组成时,其中Si的质量百分含量为65 75%,0的质量百分含量为17 22%,N的质量百分含量为3 18%。6.如权利要求I所述的镀膜件,其特征在于所述第二膜层由平均粒径为10 15nm的纳米颗粒组成,第二膜层的粗糙度Ra为l(T30nm。7.如权利要求I所述的镀膜件,其特征在于所述第一膜层的厚度为5 10μπι,所述第二膜层的厚度为2 4μπι。8.如权利要求I所述的镀膜件,其特征在于所述镀膜件于该第二膜层表面的60°角光泽度为85 100,色度区域于CIE LAB表色系统的L*坐标为89至93,a*坐标为-O. 5至O. 5,b* 坐标为-O. 5 至 O. 5。9.一种镀膜件的制造方法,其包括如下步骤 提供基体; 采用真空镀膜法,以锌靶为靶材,在该基体的表面形成一锌层; 关闭所述锌靶,使用氧气对该锌层进行热处理制得第一膜层,该第一膜层主要由Zn和O两种元素组成; 采用真空镀膜法,以铝、铝合金、硅或硅合金为靶材,以氧气及氮气为反应气体,在该第一膜层上形成第二膜层,该第二膜层主要由Al和Si中的任一种、O及N三种元素组成; 对所述第二膜层的表面进行精抛处理。10.如权利要求9所述的镀膜件的制造方法,其特征在于形成所述锌层的工艺参数为采用磁控溅射镀膜法,设置锌靶的功率为2 3kw,以氩气为工作气体,氩气的流量为10(T300sccm,施加于基体的偏压为_10(T-300V,镀膜温度为2(T200°C,镀膜时间为I 2h。11.如权利要求9所述的镀膜件的制造方法,其特征在于对所述锌层进行热处理待工艺参数为氧气的流量为8(Tl50sccm,热处理温度为2(T200°C,时间为2(T60min。12.如权利要求9所述的镀膜件的制造方法,其特征在于形成所述第二膜层的工艺参数为采用磁控溅射镀膜法,设置铝靶、铝合金靶、硅靶或硅合金靶的功率为5 10kw,氧气的流量为5(T200sCCm、氮气的流量为8(T300sCCm,以氩气为工作气体,氩气的流量为10(T300SCCm,施加于基体的偏压为-10(T-300V,镀膜温度为2(T200°C,镀膜时间为5(T80min ;所述铝合金靶材中铝的质量百分含量为85、0%,硅合金靶材中硅的质量百分含量为85 90%。13.如权利要求9所述的镀膜件的制造方法,其特征在于所述精抛处理的工艺参数为提供一精抛机,所述精抛机包括一布轮,将含有氧化铝粉末的悬浮状水溶 液涂覆在该布轮上,对所述第二膜层的表面进行精抛,精抛的时间为l(Tl5min。全文摘要本专利技术提供一种镀膜件,包括基体、依次形成于基体上的呈白色的第一膜层及第二膜层;该第一膜层主要由Zn和O两种元素组成;该第二膜层主要由Al和Si中的任一种、O及N三种元素组成。该镀膜件呈现出纯正的骨瓷质感的外观。本专利技术还提供了所述镀膜件的制造方法。文档编号C23C8/10GK102896826SQ20111021544公开日2013年1月30日 申请日期2011年7月29日 优先权日2011年7月29日专利技术者陈文荣, 蒋焕梧, 陈正士, 李聪 申请人:鸿富锦精密工业(深圳)有限公司, 鸿海精密工业股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种镀膜件,包括基体,其特征在于:该镀膜件还包括依次形成于基体上的呈白色的第一膜层及第二膜层;该第一膜层主要由Zn和O两种元素组成;该第二膜层主要由Al和Si中的任一种、O及N三种元素组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈文荣蒋焕梧陈正士李聪
申请(专利权)人:鸿富锦精密工业深圳有限公司鸿海精密工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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