晶种层数量减少的晶圆级芯片规模封装结构的形成制造技术

本发明专利技术涉及一种方法，包括在金属焊盘上方形成钝化层，该金属焊盘置于半导体衬底上方。在钝化层中形成第一开口，金属焊盘的一部分通过该第一开口暴露出来。晶种层形成在钝化层上方并且与金属焊盘电连接。该晶种层进一步包括位于钝化层上方的一部分。在晶种层上方形成第一掩模，其中，第一掩模具有位于金属焊盘的至少一个部分正上方的第二开口。PPI形成在晶种层上方和第二开口中。第二掩模形成在第一掩模上方，在该第二掩模中形成了第三开口。金属凸块的一部分形成在该第三开口中。在形成金属凸块的部分的步骤之后，去除第一掩模和第二掩模。本发明专利技术还提供了一种晶种层数量减少的晶圆级芯片规模封装结构的形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，更具体地，本专利技术涉及一种晶种层数量减少的晶圆级芯片规模封装结构的形成。
技术介绍
在晶圆级芯片规模封装结构的形成中，集成电路器件(诸如，晶体管)首先形成在晶圆中的半导体衬底的表面上。然后在集成电路器件上方形成互连结构。金属焊盘形成在该互连结构上方并且与其电连接。钝化层和第一聚酰亚胺层形成在金属焊盘上，其中，金属焊盘通过钝化层和第一聚酰亚胺中的开口暴露出来。然后，在第一聚酰亚胺上形成晶种层，随后形成后钝化互连(PPI)线和焊盘。可以通过以下步骤形成该PPI线和焊盘在晶种层上形成和图案化第一光刻胶；在第一光刻胶 的开口中电镀PPI线和焊盘；并且随后去除该第一光刻胶。去除晶种层之前被第一光刻胶所覆盖的部分。然后，在后钝化互连线和焊盘上方形成第二聚酰亚胺层，并且形成延伸进入到第二聚酰亚胺层的开口中的凸块下金属(UBM)，其中，该UBM与PPI互连线和焊盘电连接。UBM的形成还包括形成UBM晶种层；形成和图案化第二光刻胶；在UBM晶种层上形成UBM ；去除第二光刻胶；以及去除晶种层之前被第二光刻胶所覆盖的UBM部分。在上述工艺步骤中，形成并且去除过两次光刻胶，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在金属焊盘上方形成钝化层，其中，所述金属焊盘进一步置于半导体衬底上方；在所述钝化层中形成第一开口，其中，所述金属焊盘的一部分通过所述第一开口暴露出来；在所述钝化层上方形成晶种层，其中，所述晶种层与所述金属焊盘电连接；在所述晶种层上方形成第一掩模，其中，所述第一掩模包括第二开口，所述第二开口位于所述金属焊盘的至少一部分的正上方；在所述晶种层上方和所述第二开口中形成后钝化互连件(PPI)在所述第一掩模上方形成第二掩模；在所述第二掩模中形成第三开口；在所述第三开口中形成金属凸块的至少一部分；以及在形成金属凸块的至少一部分的步骤之后，去除所述第一掩模和所述第二掩模。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：吕文雄，郑明达，林志伟，吴逸文，林修任，刘重希，李明机，余振华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：