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本发明涉及一种方法，包括在金属焊盘上方形成钝化层，该金属焊盘置于半导体衬底上方。在钝化层中形成第一开口，金属焊盘的一部分通过该第一开口暴露出来。晶种层形成在钝化层上方并且与金属焊盘电连接。该晶种层进一步包括位于钝化层上方的一部分。在晶种层上...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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