一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法技术

本申请公开了一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法，包括：在半导体衬底上形成鳍片；在所述鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏延伸区结构；在源/漏延伸区两侧形成源/漏结构；源/漏区硅化；形成全硅化金属栅电极；接触和金属化。本发明专利技术消除了SOI器件存在的自加热效应和浮体效应，具有更低的成本；克服了多晶硅栅电极存在多晶硅耗尽效应、硼穿透效应、串联电阻大等缺点；与CMOS平面工艺的良好兼容，易于集成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，尤其涉及。
技术介绍
随着集成电路产业按照Moore定律持续向前发展，CMOS器件的特征尺寸持续缩小，平面体硅CMOS结构器件遇到了严峻的挑战。为了克服这些问题，需要从新材料、新工艺、新结构等多方面寻找解决方案。在新材料领域，金属栅电极技术是一种十分重要的技术，采用金属栅电极能够从根本上消除多晶硅栅耗尽效应和P型场效应晶体管的硼(B)穿透效应，同时获得非常低的栅极薄层电阻。在各类金属栅制备方法中，全硅化金属栅技术是一种比较简单的金属栅制 备方法，并与CMOS工艺具有很好的兼容性。在新结构领域，鳍型场效应晶体管(FinFET)结构被认为是最有可能替代平面体硅CMOS器件的新结构器件之一，成为国际研究的热点。FinFET结构主要分为SOI FinFET和Bulk FinFET0但是SOI FinFET存在制备成本高，散热性差，存在浮体效应和自加热效应等缺点。为了克服SOI FinFET存在的问题，研究人员开始研究采用体硅衬底来制备FinFET器件，即 Bulk FinFET。为了克服传统的平面体硅CMOS结构器件遇到的问题，推动集成电路产业继续向前飞速发展本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法，包括：在半导体衬底上形成鳍片；在所述鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏延伸区结构；在源/漏延伸区两侧形成源/漏结构；源/漏区硅化；形成全硅化金属栅电极；接触和金属化。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周华杰，徐秋霞，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：