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本申请公开了一种全硅化金属栅体硅多栅鳍型场效应晶体管的制备方法，包括：在半导体衬底上形成鳍片；在所述鳍片的顶部及侧面形成栅堆叠结构；在所述栅堆叠结构两侧的鳍片中形成源/漏延伸区结构；在源/漏延伸区两侧形成源/漏结构；源/漏区硅化；形成全硅化...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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