【技术实现步骤摘要】
本申请是申请号为200880108027. 5，申请日为2008年9月11日，国际申请号为PCT/US2008/076027的中国专利申请的分案申请。
技术介绍
本专利技术涉及通过除去酸性化合物、一氧化碳、二氧化碳、惰性化合物及其组合来纯化四氟化硅气体的方法，更具体地，本专利技术涉及通过使用离子交换树脂除去酸性化合物、通过使用包含惰性基材表面上或接近惰性基材表面处的催化金属氧化物的催化剂除去一氧化碳、通过使用包含至少一种二醇二醚的吸收液除去二氧化碳、通过使用低温蒸馏工艺除去惰性气体、及其组合。多晶硅是许多商品的重要组分，包括例如集成电路和光电(即太阳能)电池。多晶硅通常通过化学气相沉积机理制备，其中在流化床反应器中将硅从通常为硅烷的 热分解性硅化合物中沉积至晶种颗粒上。可以通过四氟化硅与金属氢化物如四氢化铝钠(NaAlH4)的反应由四氟化硅制备硅烷。可以通过多种方法制备四氟化硅，例如作为来自磷肥生产副产物氟硅酸的气体。商业生产的四氟化硅气体通常包含大量杂质，例如一氧化碳，二氧化碳，惰性化合物，金属杂质如硼、磷和钙化合物，和酸化合物如盐酸、二氧化硫、三氧化硫和氢氟酸。这些...
【技术保护点】
一种用于从四氟化硅气体中除去杂质的催化剂，所述催化剂包含：具有表面的惰性基材，其选自氧化锆、水合硅酸铝、二氧化硅、氧化铝、氧化钇和它们的混合物，该惰性基材包含金属氧化物稳定剂，其中该金属氧化物稳定剂包含选自镧系元素、锕系元素、镁、钇、钙及其混合物的金属，惰性基材中稳定剂的量低于约0.1重量%；以及催化金属氧化物，其包含惰性基材表面上或接近惰性基材表面处的选自铜、锰、铬、钴、铊、钼、银和它们的混合物的催化金属。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：维塔尔·雷万卡尔，贾米勒·伊布拉希姆，
申请(专利权)人：MEMC电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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