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本发明提供通过使源气体进行一个或多个纯化工艺来纯化四氟化硅源气体的方法，所述纯化工艺包括：将四氟化硅源气体与离子交换树脂接触以除去酸性杂质、将四氟化硅源气体与催化剂接触以除去一氧化碳、通过使用吸收液除去二氧化碳，以及通过低温蒸馏除去惰性化合...
该专利属于MEMC电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过MEMC电子材料有限公司授权不得商用。

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