【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及氟硅材料生产领域,具体地说是一种四氟化硅的生产工艺。
技术介绍
四氟化硅为多晶硅等高新
的主要的原料,低成本的四氟化硅生产技术对于降低多晶硅的生产成本意义重大。目前四氟化硅的生产主要是采用萤石、石英为原料的硫酸法回转窑生产技术,生产原料成本高,生产过程能耗高、反应温度高(250°C -300°C),收率低,直接导致了多晶硅的生产成本高。
技术实现思路
为解决上述存在的技术问题,本专利技术提供了一种四氟化硅的生产工艺,采用氟化 工以及磷肥工业的含氟气体回收处理过程获得的氟硅酸钠与硅胶废料进行生产,原料成本低,反应温度低,能耗低,收率高,并可达到多晶硅生产的要求,大大降低多晶硅生产的成本。为达到上述目的,本专利技术采用的技术方案如下 1)将摩尔比为I:(0. 1-1.0)的原料氟硅酸钠和二氧化硅在干燥器中预热到700C _180°C、干燥并均匀搅拌; 2)将干燥后的氟硅酸钠与二氧化硅粉混合料转入到反应器中,喷入预热到700C -180°C的H2S04含量> 98. 0%的浓硫酸进行搅拌反应,所述氟硅酸钠与浓硫酸中H2S04的摩尔比为I : ( ...
【技术保护点】
一种四氟化硅的生产工艺,其特征在于,通过如下步骤实现:1)将摩尔比为1:(0.1?1.0)的原料氟硅酸钠和二氧化硅在干燥器中预热到70℃?180℃、干燥并均匀搅拌;2)将干燥后的氟硅酸钠与二氧化硅粉混合料转入到反应器中,喷入预热到70℃?180℃的H2SO4含量≥98.0%的浓硫酸进行搅拌反应,所述氟硅酸钠与浓硫酸中H2SO4的摩尔比为1:(0.8?1.3),反应过程中不断给反应器加热,保持反应温度在100?200℃;3)反应过程中产生的气体及时抽出,气体成分为四氟化硅、氟化氢、水蒸汽及粉尘,经过浓硫酸洗涤除尘、吸附氟化氢、脱水、除酸雾后进入压缩机进行压缩,获得四氟化硅产品 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:旷戈,刘绪凯,郭园,万金诚,韩光占,米永强,
申请(专利权)人:山东瑞福锂业有限公司,
类型:发明
国别省市:
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