采用回转窑制备四氟化硅的方法技术

本发明专利技术公开了一种采用回转窑制备四氟化硅的方法，该方法是将氟硅酸钠与硫酸预反应后送入回转窑中进一步反应，回转窑窑内压力-2～-5Kpa，窑内由前向后三段分别控制温度在160～190℃、191～220℃、221～250℃，反应完成后，将四氟化硅与HF混合气分离。本发明专利技术将氟硅酸钠与硫酸采用回转窑作为反应设备进行反应，原料可采用的磷肥厂的副产物氟硅酸钠，且装置主要固废硫酸钠仍可被磷肥厂回收用来生产氟硅酸钠；本发明专利技术通过设计三段式加热方式，使得原料充分反应。另外，全过程无难处理的三废，无需废酸浓缩装置，大大节省了装置投入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氟化工、硅化工等
，特别涉及一种。
技术介绍
四氟化硅是半导体与光纤加工应用中所使用的一 种电子专用气体，是硅基半导体器件制造采用的离子注入法中的一种重要成份。四氟化硅在电子和半导体行业中主要用于氮化硅、硅化钽等的蚀刻、P型掺杂剂及外延沉积扩散硅源等；还可用于制备电子级硅烷或硅。四氟化硅还可用作导纤维用高纯石英玻璃的原料，它在高温火焰中水解可产生具有高比表面积的热沉二氧化硅；此外，四氟化硅还广泛用于制备太阳能电池，氟硅酸和氟化铝，化学分析用氟化剂，油井钻探、镁合金浇铸用催化剂，蒸熏剂，水泥及人造大理石的硬化剂以及有机硅化合物的合成材料等方面。目前制备四氟化硅的工艺主要有以下几种方法I、通过高纯度的金属硅与氟直接反应来制备四氟化硅，反应方程式如下Si+2F2 — SiF4由于此反应需要高纯度的氟气体，而氟气体不易制得，所以，无法进行大规模生产。2、通过热裂解六氟硅酸盐来制备四氟化硅。3、石英砂与HF气体反应的制造方法Si02+HF — SiF4+H204、莹石、石英砂及硫酸反应的制造方法2CaF2+Si02+H2S04 — SiF4+2CaS04+2H20采用上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用回转窑制备四氟化硅的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：1)预反应：将氟硅酸钠与硫酸预反应，氟硅酸钠与硫酸的进料重量比为1～1.1∶1，温度为110～120℃之间，氟硅酸钠的转化率为30～50％；2)在回转窑中反应：将预反应后的氟硅酸钠浆料送入回转窑中，回转窑窑内压力?2～?5Kpa，窑内由前向后三段分别控制温度在160～190℃、191～220℃、221～250℃；3)分离：将在回转窑中反应产生的混合气体进行分离。

【技术特征摘要】
1.一种采用回转窑制备四氟化硅的方法，其特征在于该方法包括以下步骤 1)预反应将氟硅酸钠与硫酸预反应，氟硅酸钠与硫酸的进料重量比为I I.I 1，温度为110 120°c之间，氟硅酸钠的转化率为30 50% ； 2)在回转窑中反应将预反应后的氟硅酸钠浆料送入回转窑中，回转窑窑内压力-2 _5Kpa，窑内由前向后三段分别控制温度在160 190°C、191 220°C、221 250 0C ； 3)分离将在回转窑中反应产生的混合气体进行分离。2.根据权利要求I所述的采用回转窑制备四氟化硅的方法，其特征在于在步骤“2)”中，控制回转窑转速2 3转/min，回转窑斜度O. 04 O. 05，物料总停留时间控制为2 3h。3.根据权利要求I所述的采用回转窑制备四氟化硅的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪小华，曾宪相，吴震，
申请(专利权)人：新浦化学泰兴有限公司，
类型：发明
国别省市：