纳米图形化方法和设备技术

本发明专利技术的实施方式涉及可用于大面积衬底的纳米图形化的方法和设备，其中可移动的纳米结构化膜用于使辐射敏感材料成像。该纳米图形化技术利用近场光刻术，其中纳米结构化膜用于调节到达辐射敏感层的光强度。近场光刻法可以利用弹性体相位移掩模，或可使用表面等离子体技术，其中可移动的膜包括金属纳米孔或纳米粒子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·柯宾，
申请(专利权)人：罗利诗公司，
类型：
国别省市：