微光刻投射曝光设备的照明系统技术方案

一种微光刻投射曝光设备(10)的照明系统，其包含：光源(30)，其构造为产生投射光束(34)；及第一和第二衍射光学元件(42、44；242、244)，其布置在所述光源(30)和光瞳平面(84)之间。由每个衍射光学元件产生的衍射效应取决于光场(110)的位置，该光场被所述投射光束(34)辐射在所述衍射光学元件(42、44；242、244)上。位移机械装置(54、64)改变所述衍射光学元件的相互空间布置。在可借助所述位移机械装置(54、64)而获得的相互空间布置的至少一个中，所述光场(110)在所述第一和所述第二衍射光学元件(42、44；242、244)二者上延伸。这使得可以简单的方式连续产生可变的照明设定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及用于照明微光刻曝光设备中的掩模的照明系统，尤其涉及其中使用衍射光学元件限定光瞳平面(pupil plane)中的福照分布(irradiancedistribution)的系统。本专利技术亦涉及操作这种照明系统的方法。
技术介绍
微光刻技术(又称为照明平板印刷(photolithography)或简称为光刻)是ー种制造集成电路、液晶显示器和其它微结构器件的技木。结合蚀刻エ艺，微光刻エ艺用于在基板(substrate)(例如娃晶片)上已形成的薄膜堆(film stack)中形成图案特征。在制造的姆ー层中，首先以光刻胶(photoresist)涂镀晶片,光刻胶是ー种对诸如深紫外(deep ultraviolet, DUV)光的福射敏感的材料。接着，使顶部具有光刻胶的晶片在投射曝光设备中曝光于投射光。投射曝光设备将含有图案的掩模投射于光刻胶上，使得光刻胶只在由掩模图案決定的特定位置处曝光。曝光后，显影光刻胶以产生对应于掩模图案的像。然后，蚀刻エ艺使图案转印至晶片上的薄膜堆中。最后，移除光刻胶。以不同掩模重复此エ艺导致形成多层的微结构组件。投射曝光设备通常包括照明掩模的照明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：M帕特拉，S比林，M德冈瑟，F施莱森纳，M施瓦布，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：
国别省市：