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本发明的实施方式涉及可用于大面积衬底的纳米图形化的方法和设备，其中可移动的纳米结构化膜用于使辐射敏感材料成像。该纳米图形化技术利用近场光刻术，其中纳米结构化膜用于调节到达辐射敏感层的光强度。近场光刻法可以利用弹性体相位移掩模，或可使用表面等...
该专利属于罗利诗公司所有，仅供学习研究参考，未经过罗利诗公司授权不得商用。

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