本发明的实施例涉及在大面积衬底的纳米图案化中有用的方法和设备，其中可旋转掩膜用来将辐射敏感材料成像。可旋转掩膜通常包含圆柱体。纳米图案化技术利用近场光刻，其中用来使衬底图案化的掩膜与衬底动态接触。近场光刻可利用弹性相移掩膜，或可采用表面...

一种圆筒形掩膜可使用中空浇注圆筒和掩膜圆筒来制造。所述浇注圆筒具有比所述掩膜圆筒的外径大的内径。所述浇注圆筒和所述掩膜圆筒被同轴地组装，并且液体聚合物被注入在所述浇注圆筒的内表面与所述掩膜圆筒的外表面之间的环绕所述掩膜圆筒的空间内。在固...

公开了制造形成纳米图案的滚筒光掩模的方法。具有大小范围为从约1纳米至约100微米的形貌的底版图案可在底版基底上形成。弹性体材料层可在透明滚筒的表面上形成。底版图案可从底版转印至所述透明滚筒表面上的弹性体材料层。可选地，形成纳米图案的滚筒...

本发明的实施方式涉及可用于大面积衬底的纳米图形化的方法和设备，其中可移动的纳米结构化膜用于使辐射敏感材料成像。该纳米图形化技术利用近场光刻术，其中纳米结构化膜用于调节到达辐射敏感层的光强度。近场光刻法可以利用弹性体相位移掩模，或可使用表...

本发明的实施例涉及在大面积衬底的纳米图案化中有用的方法和设备，其中可旋转掩模用来将辐射敏感材料成像。可旋转掩模通常包含圆柱体。纳米图案化技术利用近场光刻，其中用来使衬底图案化的掩模与衬底动态接触。近场光刻可利用弹性相移掩模，或可采用表面...