【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及可用于将大型衬底或衬底，例如可作为轧制商品出售的膜图 案化的纳米图案化方法。本专利技术的其它实施例涉及可用来将衬底图案化的设备，并且该设 备可用来执行方法实施例，其中包括描述的方法实施例。
技术介绍
该节描述了涉及本专利技术的公开实施例的背景主题。没有意图，表示或暗示该节中 描述的
技术介绍
在法律上构成现有技术的意图。纳米结构化(nanostructuring)对许多现在的应用和产业是必需的，并且对正在 发展的新技术是必需的。例如且不作为限制，可以为在例如太阳能电池和LED领域中的目 前应用，以及在下一代数据存储装置中的目前应用实现功效上的改善。纳米结构化衬底可使用以下技术制作，例如电子束直写(e-beam direct writing)、深紫夕卜光亥 Ij (De 印 UV lithography)、纳米球光亥 Ij (nanosphere lithography)、 纳米压印光刻(nanoimprint lithography)、近场相移光刻(near-field phase shift lithography)，以及例如等离子体光刻(p...
【技术保护点】
一种近场纳米光刻的方法，包含：ａ）提供衬底，所述衬底具有在所述衬底表面上的辐射敏感层；ｂ）提供可旋转掩模，所述可旋转掩模具有在所述可旋转掩模的外表面上的纳米图案；ｃ）使所述纳米图案与所述衬底表面上的所述辐射敏感层接触；ｄ）使所述可旋转掩模在所述辐射敏感层上面旋转时，通过所述纳米图案将辐射分布，由此在所述辐射敏感层中创建具有范围从小于１μｍ下至大约１ｎｍ的特征尺寸的图像。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：B柯宾，I兰道，B沃尔夫，
申请(专利权)人：罗利诗公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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