收集器反射镜组件以及用于产生极紫外辐射的方法技术

一种收集器反射镜组件(302)包括：包括反射表面(304)的收集器反射镜(co’)和具有边缘(308)的孔(306)。所述孔延伸通过反射表面。所述组件还包括管状主体(310)，所述管状主体(310)具有内表面(312)和外表面(314)。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导气流(GF)。所述管状主体的外表面和孔的边缘形成开口(316)，所述开口布置成引导另外的气流(GF’)，所述另外的气流与大致横向于反射表面的气流分开。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于光刻设备的收集器反射镜组件和用于产生极紫外辐射的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示CD = L(I) NA其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，Ic1是依赖于工艺的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(I)知道，特征的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·兰贝特斯基，E·鲁普斯特拉，A·凯姆鹏，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：
国别省市：