曝光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种曝光装置以及器件制造方法。曝光装置（EX），是经由投影光学系统（PL）和液体（LQ）将图形像投影在衬底（W）上的装置，投影光学系统（PL），具有与液体（LQ）接触的光学部件（G12）以及配置在光学部件（G12和中间掩模（R）之间的光学组（MPL）。保持光学部件（G12）和光学组（MPL）的保持机构（HG），以相对于光学组（MPL）可动的方式保持光学部件（G12）。通过这样的构成，可以提供能够抑制在投影光学系统和衬底之间填满液体而进行曝光处理时的图形像的劣化的曝光装置。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在用液体填满投影光学系统和衬底之间的状态下将衬底曝光的曝光 装置，以及使用该曝光装置的器件制造方法。
技术介绍
半导体器件和液晶显示器件，用将形成在掩模或中间掩模(以下，称为“中间掩模”)上的图形转印到晶片或玻璃板等衬底上的，所谓的光刻法的方法制造。在该光刻法工序中使用的曝光装置，是具有支撑中间掩模的中间掩模载物台和支撑衬底的衬底载物台，并一面逐次移动中间掩模载物台以及衬底载物台，一面将中间掩模的图形经由投影光学系统转印到衬底上的装置。近年，为了应对器件图形的进一步的高集成化，要求投影光学系统的进一步的高析像度化。投影光学系统的析像度，是使用的曝光波长越短，另外投影光学系统的数值孔径越大，就越高。因此，在曝光装置中使用的曝光波长正在一年一年短波长化，投影光学系统的数值孔径也正在增大。并且，现在主流的曝光波长，是KrF准分子激光器的248nm，波长更短的ArF准分子激光器的193nm也越来越实用化。另外，在进行曝光时，与析像度同样地，焦深(DOF)也变得重要。析像度Re、以及焦深δ分别用以下的公式表示。Re = Ii1. λ /NA··· (I)δ = ±k2 · λ 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种曝光装置，在投影光学系统的像面侧形成液体的液浸区域，经由所述投影光学系统和所述液体将图形曝光到衬底，该曝光装置具有：配置在构成所述投影光学系统的多个光学部件中的与所述液体接触的光学部件的周围的环状的保持部件，和向与所述液体接触的光学部件的周缘部和所述环状的保持部件之间的间隙供给气体的气体供给管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木内彻，三宅寿弘，
申请(专利权)人：株式会社尼康，
类型：发明
国别省市：