【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光刻设备以及适用于此的反射器。
技术介绍
·光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻技术被广泛认为是制造集成电路(IC)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术形成的特征的尺寸变得越来越小，对于实现微型的IC或其他器件和/或结构的制造来说，光刻技术正变成更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示Cl) = k' *(I) 'NA其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，Ic1是随工艺变化的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.24 US 61/317,167;2010.05.03 US 61/330,721;1.一种反射器，包括配置成反射第一波长的辐射的多层反射镜结构，和一个或更多个附加层，多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收率和折射系数以及多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层的厚度，配置成使得从反射器的表面反射的第二波长的辐射以相消方式与从反射器内反射的第二波长辐射干涉。2.如权利要求I所述的反射器，其中所述一个或更多个附加层包括基底，其中所述一个或更多个附加层还包括位于基底和多层反射镜结构中间的金属层，并且其中金属层厚度大于金属对于第二波长福射的集肤深度。3.如权利要求I或2所述反射器，其中所述一个或更多个附加层包括基底，其中所述一个或更多个附加层还包括位于基底和多层反射镜结构中间的吸收层，所述吸收层配置成吸收第二波长的辐射。4.如权利要求3所述的反射器，其中所述一个或更多个附加层包括基底，其中所述一个或更多个附加层还包括位于基底和多层反射镜结构中间的金属层，其中吸收层在金属层和多层反射镜结构中间。5.如权利要求I所述的反射器，其中所述一个或更多个附加层包括基底，并且在第二波长条件下基底的折射系数与多层反射镜结构在第二波长条件下的折射系数不同。6.如前述权利要求任一项所述的反射器，其中多层反射镜结构包括η型硅和类金刚石碳的交替层。7.一种反射器，包括配置成反射第一波长的辐射的多层反射镜结构，和一个或更多个附加层， 其中多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收率和折射系数以及多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层的厚度，配置成使得当多层反射镜结构接收碎片材料层时，从反射器的表面反射的第二波长的辐射以相消方式与从反射器内反射的第二波长辐射干涉，所述碎片材料层限定反射器的表面。8.如权利要求7所述的反射器，其中在使用中碎片材料层的厚度将随着时间而增加，并且其中多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收率和折射系数以及多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层的厚度，配置成使得，当多层反射镜结构接收特定厚度的碎片材料层时，被从反射器表面反射...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·梅德韦杰夫，V·班尼恩，V·克里夫特苏恩，W·索尔，A·亚库宁，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：
国别省市：
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