光刻设备以及光谱纯度滤光片制造技术

一种反射器，包括配置成反射第一波长的辐射的多层反射镜结构，和一个或更多个附加层。多层反射镜结构和一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收率和折射系数以及多层反射镜结构和一个或更多个附加层的厚度配置成使得从反射器的表面反射的第二波长的辐射以相消方式与从反射器内反射的第二波长的辐射干涉。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种光刻设备以及适用于此的反射器。
技术介绍
·光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如IC制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。光刻技术被广泛认为是制造集成电路(IC)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻技术形成的特征的尺寸变得越来越小，对于实现微型的IC或其他器件和/或结构的制造来说，光刻技术正变成更加关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示Cl) = k' *(I) 'NA其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，Ic1是随工艺变化的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(I)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径获得通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小Ic1的值。为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有5-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13_14nm范围内波长的电磁辐射，或例如在5-10nm范围内的波长，例如6. Ixm或6. 8nm波长。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环提供的同步加速器辐射。可以通过使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器，和用于容纳等离子体的源收集器模块。例如通过将激光束引导到燃料，例如合适材料(例如锡)的粒子或合适气体或蒸汽的流(例如氙气或锂蒸汽)可以产生等离子体。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜式的正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源收集器模块可以包括包围结构或室，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。伴随有用的带内辐射，已知的LLP源也产生无用的带外辐射，例如深紫外(DUV)和红外(IR)以及被等离子体散射(反射)的激光辐射。IR辐射是波长在O. 1-500 μ m范围内的电磁辐射，例如在5-15 μ m范围内的电磁辐射。LPP源产生的带外辐射，尤其是高功率的10. 6 μ m辐射，可能导致图案形成装置、衬底以及光学元件的不期望的升温，由此缩短其寿命。已知的光刻设备包括具有对带外辐射(例如10.6 μ m)的高反射率的光学元件，因此带外辐射能够以相当高的功率到达衬底。带外辐射在衬底处存在可能会导致光刻设备的成像性能下降。在用以产生EUV辐射束的等离子体形成过程期间，燃料通过激光束的激光能量而向等离子体的转化可能是不完全的并因此可能产生燃料碎片。碎片可以接触辐射收集器(收集由源收集器模块内的等离子体输出的辐射)并可以在辐射收集器表面上形成碎片层。碎片层在辐射收集器上的形成可以影响辐射收集器的光学性能。例如，诸如锡层等碎片 层在辐射收集器上的形成可以提高辐射收集器对带外辐射的反射率。因此，带外辐射能够以相当高的功率到达衬底。这可以导致更大量的带外辐射被通过光刻设备朝向衬底引导。被通过光刻设备朝向衬底引导的更大量的带外辐射可以导致图案形成装置、衬底以及光学元件的不期望的升温，由此缩短它们的寿命。衬底处存在带外辐射还可能会导致光刻设备的成像性能的降低。根据其摘要，WO 2010/022839公开一种光谱纯度滤光片，配置成反射EUV辐射。光谱纯度滤光片包括基底以及基底顶表面上的抗反射涂层。抗反射涂层配置成透射IR辐射。滤光片包括多层叠层，所述多层叠层配置成反射EUV辐射并基本上透射IR辐射。
技术实现思路
期望提供一种光刻设备以消除或减轻现有技术的一个或更多个问题，不管在此处还是其他地方。根据一方面，提供一种反射器，包括配置成反射第一波长的辐射的多层反射镜结构，和一个或更多个附加层，多层反射镜结构和一个或更多个附加层在对第二波长的吸收系数和折射系数以及多层反射镜结构和一个或更多个附加层的厚度配置成使得从反射器的表面反射的第二波长的福射以相消方式与从反射器内反射的第二波长福射干涉。所述一个或更多个附加层可以包括由硅形成的基底。所述一个或更多个附加层还可以包括位于基底和多层反射镜结构中间的金属层。金属层可以由钥形成。所述一个或更多个附加层还可以包括位于基底和多层反射镜结构中间的吸收层，所述吸收层配置成吸收第二波长的辐射。吸收层可以包括光学性质基本上不受温度改变影响的材料。吸收层可以由选自下列的组的一种材料构成评03、1102、2110、5102以及51(。吸收层还可以由掺杂半导体形成。邻近多层反射镜结构的所述一个或更多个附加层中的一层在第二波长条件下折射系数与多层反射镜结构在第二波长条件下的折射系数不同。第一波长可以是极紫外波长，第二波长可以是红外波长。根据本专利技术一方面，提供一种光刻设备，具有配置成收集辐射的源收集器模块、配置成调节所述辐射的照射系统以及配置成将由所述辐射形成的辐射束投影到衬底上的投影系统，其中源收集器模块、照射系统和/或投影系统包括根据本专利技术一方面的一个或更多个反射器。根据本专利技术一方面，提供一种反射器，包括配置成反射第一波长的辐射的多层反射镜结构，和一个或更多个附加层，其中多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收系数和折射系数以及多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层的厚度，配置成使得当多层反射镜结构接收碎片材料层时，从反射器的表面反射的第二波长的辐射以相消方式与从反射器内反射的第二波长辐射干涉，所述碎片材料层限定反射器的表面。反射器可以配置成使得当反射器上没有碎片层存在时反射器的第二波长的辐射的反射率小于预定阈值。反射器可以配置成使得，当反射器上存在单层碎片时，反射器的第二波长辐射的反射率小于预定阈值。在使用时，碎片材料层的厚度可以随时间而增大，并且多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收系数和折射系数和多层反射镜结构和一个或更多个附加层的厚度可以配置成使得，当特定厚度的碎片材料层被多层反射镜结构接收时，从反射器的表面反射的第二波长的辐射以相消方式与从反射器内反射的第二波长辐射干涉。反射器配置成使得反射器的第二波长辐射的反射率随着碎片层厚度增加而通过最小 反射率，其中当碎片层具有特定厚度时出现最小反射率。碎片层的所述特定厚度可以等于或大于碎片材料的单层的厚度。根据本专利技术一方面，提供一种反射器，包括配置成反射第一波长辐射的多层反射镜结构、配置成吸收第二波长的辐射的基底、以及在多层反射镜结构和基底之间的抗反射层，所述抗反射层配置成促进第二波长的辐射从多层反射镜结构经过到达基底，其中在第二波长条件下多层反射镜结构和抗反射层的吸收系数和折射系数以及多层反射镜结构和抗反射层的厚度配置成使得，当多层反射镜结构接收碎片材料层时从反射器的表面反射的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.24 US 61/317,167;2010.05.03 US 61/330,721;1.一种反射器，包括配置成反射第一波长的辐射的多层反射镜结构，和一个或更多个附加层，多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收率和折射系数以及多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层的厚度，配置成使得从反射器的表面反射的第二波长的辐射以相消方式与从反射器内反射的第二波长辐射干涉。2.如权利要求I所述的反射器，其中所述一个或更多个附加层包括基底，其中所述一个或更多个附加层还包括位于基底和多层反射镜结构中间的金属层，并且其中金属层厚度大于金属对于第二波长福射的集肤深度。3.如权利要求I或2所述反射器，其中所述一个或更多个附加层包括基底，其中所述一个或更多个附加层还包括位于基底和多层反射镜结构中间的吸收层，所述吸收层配置成吸收第二波长的辐射。4.如权利要求3所述的反射器，其中所述一个或更多个附加层包括基底，其中所述一个或更多个附加层还包括位于基底和多层反射镜结构中间的金属层，其中吸收层在金属层和多层反射镜结构中间。5.如权利要求I所述的反射器，其中所述一个或更多个附加层包括基底，并且在第二波长条件下基底的折射系数与多层反射镜结构在第二波长条件下的折射系数不同。6.如前述权利要求任一项所述的反射器，其中多层反射镜结构包括η型硅和类金刚石碳的交替层。7.一种反射器，包括配置成反射第一波长的辐射的多层反射镜结构，和一个或更多个附加层， 其中多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收率和折射系数以及多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层的厚度，配置成使得当多层反射镜结构接收碎片材料层时，从反射器的表面反射的第二波长的辐射以相消方式与从反射器内反射的第二波长辐射干涉，所述碎片材料层限定反射器的表面。8.如权利要求7所述的反射器，其中在使用中碎片材料层的厚度将随着时间而增加，并且其中多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收率和折射系数以及多层反射镜结构和所述一个或更多个附加层的厚度，配置成使得，当多层反射镜结构接收特定厚度的碎片材料层时，被从反射器表面反射...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·梅德韦杰夫，V·班尼恩，V·克里夫特苏恩，W·索尔，A·亚库宁，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：
国别省市：