可用于制作光子晶体掩膜层的多光束曝光系统技术方案

本实用新型专利技术提供了一种可用于制作光子晶体掩膜层的多光束曝光系统，包括沿着主光轴方向由前至后依次设置的激光光源、扩束准直系统、分束合光装置以及用于承载晶片的晶片固定装置，激光光源发出的光束经扩束准直系统后进入分束合光装置，分束合光装置将接收到的光束分光后再汇集到晶片固定装置上。本实用新型专利技术结构简单，其利用光束干涉原理曝光，无需掩膜版，故具有较高的成本优势；其通过控制各电动快门的开关和各反射镜的角度能够实现任意数量光束的多光束曝光，增强系统功能；其既可用于简单的光子晶体的制作，又可通过增加分束合光装置的数量和相应的光强衰减器及电动快门以满足更复杂结构的光子晶体的制作。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体制造光刻领域，尤其涉及一种可用于制作光子晶体掩膜层的多光束曝光系统。
技术介绍
随着人们生活水平的提高，环保意识的增强，对家居环境、休闲和舒适度追求的不断提高。灯具灯饰也逐渐由单纯的照明功能转向装饰和照明共存的局面，具有照明和装饰双重优势的LED取代传统光源进入人们的日常生活成为必然之势。目前LED完全取代传统光源进入照明领域遇到的最大难题就是亮度问题和散热问题，实际上，这两个问题是同一个问题，亮度提高了，其散热问题就自然解决了。在内量子效率(已接近100%)可提高的空间有限的前提下，LED行业的科研工作者把目光转向了外量 子效率，提出了可提高光提取率的多种技术方案和方法，例如图形化衬底技术、侧壁粗化技术、DBR技术、优化电极结构、在衬底或透明导电膜上制作二维光子晶体等。其中，图形化衬底最具成效，但作为现代光子学领域最重要的研究成果之一-光子晶体被用于LED领域，提高其亮度可能最具发展潜力，因为它可控制光子晶体的晶格结构和晶格常数，使其和外延晶体的晶格结构和晶格常数相似，甚至相同，减少晶格匹配位错，降低位错密度，减少外延缺陷；不仅如此光子晶体还能更有效地控制光的行为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可用于制作光子晶体掩膜层的多光束曝光系统，其特征在于，包括沿着主光轴方向由前至后依次设置的激光光源、扩束准直系统、分束合光装置以及用于承载晶片的晶片固定装置，所述激光光源发出的光束经所述扩束准直系统后进入所述分束合光装置，所述分束合光装置将接收到的光束分光后再汇集到所述晶片固定装置上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁海生，李东昇，马新刚，江忠永，张昊翔，王洋，李超，熊展，章帅，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：