晶圆测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种晶圆测试装置，所述晶圆测试装置包括一套复合探针卡，所述复合探针卡包括：至少一组测量探针卡，所述测量探针卡中包括用于测量对应晶片的电信号的测量探针，至少一组熔断探针卡，所述熔断探针卡中包括用于对对应晶片进行修调或者编程的熔断探针，其中在所述复合探针卡位于同一位置时各组探针卡分别对应不同的晶片。这样就可以在晶圆测试时，使同一晶片的测量过程和熔断过程分开进行，提高了测量精度，而且由于不同晶片的测量过程和熔断过程可以同时进行，从而未过多延长测试机台的占用时间，而测试成本正比于测试时间，所述本实用新型专利技术在提高测量精确度的同时，并未过多增加测试成本。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

晶圆测试装置
本技术涉及晶圆测试领域，特别涉及ー种晶圆测试装置。背景技木在芯片制造流程上，主要可分为IC设计、晶圆制程、晶圆测试及晶圆封装四大步骤。晶圆初始通常为4英寸，6英寸，8英寸，12英寸等直径规格的圆形硅片。在晶圆制程阶段，会在晶圆上形成紧密规则分布的数量很大的晶片，根据不同晶片大小，一个晶圆上可以存在着几十至几十万颗晶片。而在晶圆测试阶段，通常是由测试机台与探针卡共同构建ー个测试环境，在此环境下测试晶圆上的晶片，以确保各个晶片的电气特性与功能都符 合设计的规格和规范。未能通过测试的晶片将会被标记为不良产品或者坏片，在其后的切割封装阶段将被剔除。只有通过测试的晶片才会被封装为芯片。在晶圆测试阶段，为了提高芯片的良率和质量，通常还需要对芯片的若干參数进行必要的修调和编程，从而实现更高性能或者差异化的功能。晶圆测试对于降低芯片的生产成本和提高芯片的质量是非常必要的。而ー个优质的芯片测试环境将是这一切的ー个非常重要的保证。现有技术中的ー种晶圆测试方法为对于ー种型号的晶片，预先设计提供ー套探针卡，该探针卡上包括用于测量晶片电信号的測量探针和用于修调和编程晶片的熔断探针。首先，通过该探针卡上的測量探针测量晶片是否符合设计的规格和规范；然后，根据测量结果通过熔断探针对晶片进行修调或编程，此处的“修调”通常是指通过熔断探针对晶片中预先设计的电阻网络、熔丝或者齐纳ニ极管之类的器件进行选择性熔断以改良晶片的性能，此处的“编程”通常是指通过熔断探针对晶片中预先设计的熔丝进行熔断以选择晶片的不同功能；在修调或编程后，再次通过测量探针测量修调或者编程后的晶片是否已经达到了修调目的或达到了设计规范。在整个过程中，探针卡上的各个探针通常一一对应地与晶片上的对应接点紧密接触，并且不发生移动。在实现本技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在如下缺陷第一，现有技术中的探针卡通常存在漏电，在使用包括漏电的探针卡进行测试吋，如果这些漏电出现在晶片的低阻抗节点(如该节点驱动能力很强)上，则对晶片内的电路的影响很小。但对于ー些高精度、低功耗模拟电路来说，存在ー些高阻抗节点，如果探针探测这些高阻抗节点时，探针上的漏电产生的影响则很大，等效改变的电压幅度近似为漏电电流乘以该高阻抗节点的阻抗值。比如，探测卡的一部分被设计为修调ー个基准电压至3V+/-1%的精度，当被测试晶片接上探针后，由于探针上的漏电电流的干扰导致本来电压值为3. 04V的晶片实际电压被测量为2. 98V，则系统判断该被测试晶片为无需修调，但是探针移除后，该被测试晶片的真实电压为3. 04V，其实是需要修调的晶片。第二，探针与晶片之间容易产生寄生电容，寄生电容对測量探针的准确性也有一定影响，甚至会引起环路振荡。为此，有必要提供一种新的技术方案来解决上述问题。
技术实现思路
本部分的目的在于概述本技术的实施例的ー些方面以及简要介绍ー些较佳实施例。在本部分以及本申请的说明书摘要和专利技术名称中可能会做些简化或省略以避免使本部分、说明书摘要和专利技术名称的目的模糊，而这种简化或省略不能用于限制本技术的范围。本技术的目的在于提供ー种晶圆测试装置，其可以减小探针上的漏电对晶片测试的影响。为了达到本技术的目的，本技术提出ー种晶圆测试装置，所述装置包括至少ー组測量探针卡，所述测量探针卡中包括用于测量对应晶片的电信号的測量探针；至少ー组熔断探针卡，所述熔断探针卡中包括用于对对应晶片进行修调或者编程的熔断探针，其中在所述复合探针卡位于同一位置时各组探针卡分别对应不同的晶片。在一个进ー步的实施例中，所述复合探针卡包括多组测量探针卡,各组测量探针 卡对应不同的晶片，各组测量探针卡测量对应的晶片的不同测试项目。在一个进ー步的实施例中，所述晶圆测试装置还包括与所述各组探针卡相连的测试机台，所述测试机台中包括用于存储各组测量探针卡的測量结果的存储装置。在一个进ー步的实施例中，所述熔断探针卡根据所述测试机台的存储装置内存储的来自各组測量探针卡的针对同一晶片的测量结果修调或编程对应的晶片。在一个进ー步的实施例中，在所述测量探针卡对对应的晶片测量完成，所述熔断探针卡对对应的晶片修调或编程完成后，整体向前移动所述复合探针卡，以使得各组探针卡分别对应于与移动前对应的晶片相邻的下ー个晶片。在一个进ー步的实施例中，随着所述复合探针卡的不断的向前移动，各测量探针卡和熔断探针卡先后经过晶圆上的每个晶片。与现有技术相比，本技术中的晶圆测试装置及方法具有以下优点通过将测量探针和熔断探针分组设计在同一套复合探针卡中，并且所述复合探针卡中的每组探针对应不同晶片，同一晶片的测量过程和熔断过程分开进行，提高了測量精度，而且由于不同晶片的测量过程和熔断过程可以同时进行，从而未过多延长测试机台的占用时间，而测试成本正比于测试时间，所述本技术在提高测量精确度的同吋，并未过多增加测试成本。附图说明结合參考附图及接下来的详细描述，本技术将更容易理解，其中同样的附图标记对应同样的结构部件，其中图I为本技术中的晶圆测试装置在一个实施例中的结构示意图；图2是本技术中的晶圆测试方法在一个实施例中的方法流程图。具体实施方式本技术的详细描述主要通过程序、步骤、逻辑块、过程或其他象征性的描述来直接或间接地模拟本技术技术方案的运作。为透彻的理解本技术，在接下来的描述中陈述了很多特定细节。而在没有这些特定细节时，本技术则可能仍可实现。所属领域内的技术人员使用此处的这些描述和陈述向所属领域内的其他技术人员有效的介绍他们的工作本质。换句话说，为避免混淆本技术的目的，由于熟知的方法、程序、成分和电路已经很容易理解，因此它们并未被详细描述。此处所称的“ー个实施例”或“实施例”是指可包含于本技术至少ー个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。此外，表示ー个或多个实施例的方法、流程图或功能框图中的模块顺序并非固定的指代任何特定顺序，也不构成对本技术的限制。本技术中提供的晶圆测试装置及方法的ー个重点和亮点是对于ー种型号的待测晶片，将用于测试一晶片电信号的測量探针和用于修调或者编程另一晶片的熔断探针分组设计在同一套探针卡中，由于不同晶片的测量过程和熔断过程可以同时进行，并且同一晶片的测量过程和熔断过程分开进行，这样不仅可以減少干扰提高測量探针的测量结果的准确性，而且可以实现不过多増加测试时间。请參考图I所示，其为本技术中的晶圆测试装置在一个实施例100中的结构示意图。所述晶圆测试装置100包括一套复合探针卡和与该复合探针卡相连的测试机台110。其中，所述复合探针卡包括依次连接的第一组测量探针卡120、第二组测量探针卡130和一组熔断探针卡140。需要注意的是，在此例中是以两组测量探针卡为例进行介绍，在其他实施例中还可以是ー组、三组或更多组测量探针卡。第一组测量探针卡120包括用于ー个测试项目的測量探针122，并且与所述测试机台110相连。測量探针122可以用于測量对应晶片的电信号。在一个实施例中，第一组測量探针卡120可以包括自其上延伸出測量探针的第一基板124，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆测试装置，其特征在于，其包括一套复合探针卡，所述复合探针卡包括：至少一组测量探针卡，所述测量探针卡中包括用于测量对应晶片的电信号的测量探针；至少一组熔断探针卡，所述熔断探针卡中包括用于对对应晶片进行修调或者编程的熔断探针，其中在所述复合探针卡位于同一位置时各组探针卡分别对应不同的晶片。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆测试装置，其特征在于，其包括一套复合探针卡，所述复合探针卡包括 至少一组测量探针卡，所述测量探针卡中包括用于测量对应晶片的电信号的测量探针； 至少一组熔断探针卡，所述熔断探针卡中包括用于对对应晶片进行修调或者编程的熔断探针， 其中在所述复合探针卡位于同一位置时各组探针卡分别对应不同的晶片。2.根据权利要求I所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述复合探针卡包括多组测量探针卡，各组测量探针卡对应不同的晶片，各组测量探针卡测量对应的晶片的不同测试项目。3.根据权利要求I或2所述的晶圆测试装置，其特征在于，所述晶圆测试装置还包括与所述各组探针卡相连的测试机台，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王钊，田文博，尹航，
申请(专利权)人：无锡中星微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：