【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种纳米线制造方法，包括：在衬底上依次形成第一垫氧层、硅层、第二垫氧层、牺牲层和盖层的堆叠；刻蚀所述盖层和牺牲层以形成牺牲层开口，直至露出所述第二垫氧层；在所述牺牲层开口中以及所述牺牲层上形成第二盖层；各向异性刻蚀所述第二盖层以形成纳米侧墙图形；以及以所述纳米侧墙图形为掩模，各向异性刻蚀所述硅层以形成硅纳米线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗军，赵超，钟汇才，李俊峰，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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