半导体封装结构制造技术

技术编号:8047475 阅读:157 留言:0更新日期:2012-12-06 20:58
本发明专利技术提供一种半导体封装结构,包括一个基板、至少一个半导体晶粒以及一个荧光层。所述基板包括有一个第一电极、一个第二电极及一个反射层,所述反射层设置于所述第一、二电极上。所述半导体晶粒设置于所述反射层内部的所述第一电极上,并与所述第一、二电极电性连接。所述荧光层设置于所述反射层内部,并覆盖所述半导体晶粒。所述荧光层包括一个第一荧光层以及一个第二荧光层,所述第一、二荧光层具有不同的荧光粉密度。本发明专利技术并提供制造所述半导体封装结构的制程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体封装结构,尤其涉及一种发光强度及色温较为均匀的半导体封装结构。
技术介绍
半导体封装的LED产业是近几年最受瞩目的产业之一,发展至今,LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点。然而一般半导体封装结构中半导体晶粒的发光特性,在所述半导体晶粒发出的光线中,以正向发出的正向光的光线强度较强,其余角度或是方向所发出的光线通常较弱,因此该半导体封装结会有光线强度分配不均匀的现象。所述半导体晶粒发出的光线主要在于照射所述半导体封装结的荧光层,以激发产生所述发光的色温及彩度。但是,所述半导体封装结的荧光层具有密度分布均匀的荧光粉,所述光线强度分配不均匀的半导体晶粒对应着所述密度分布均匀的荧光粉层照射,由于光激发效率的不一致,从而将使所述半导体封装结的发光容易 有色偏,或是造成CIE色彩空间无法达到效果集中的问题。所述半导体晶粒正向光的光线强度较强的发光特性要难改变,故应针对所述半导体封装结构设法改善。
技术实现思路
有鉴于此,有必要提供一种能对应半导体晶粒发光特性的半导体封装结构。一种半导体封装结构,包括一个基板、至少一个半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装结构,包括一个基板、至少一个半导体晶粒以及一个荧光层,所述基板包括有一个第一电极、一个第二电极及一个反射层,其特征在于:所述反射层设置于所述第一、二电极上,所述半导体晶粒设置于所述反射层内部的所述第一电极上,并与所述第一、二电极电性连接,所述荧光层设置于所述反射层内部,并覆盖所述半导体晶粒,所述荧光层包括一个第一荧光层以及一个第二荧光层,所述第一、二荧光层具有不同的荧光粉密度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张超雄
申请(专利权)人:展晶科技深圳有限公司荣创能源科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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