【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种单硅片的清洗方法,其特征在于包括以下步骤:(1)设置带超声或兆声发生器的清洗液喷射装置:根据需要配置功率大小适合的超声或兆声发生器,设置能产生适合的有效清洗液射流的喷嘴和配套管路,将超声或兆声发生器与喷嘴装配在一起,并且固定设置在一移动架上;所述喷嘴可以上下移动,喷嘴与单硅片的距离可调,并且喷头与单硅片的表面呈30-90度角。(2)装配直线移动装置:给上述清洗液喷射装置配置上能做直线移动的直线移动装置,选用调速电机,配以精确转速控制器,该调速电机带动清洗液喷射装置沿单硅片的半径做径向直线移动;(3)设置单硅片水平旋转装置:设置单硅片托架,配置水平旋转装置,选用调速电机, ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:韩雷刚,王锐廷,郭训容,刘效桢,王广明,
申请(专利权)人:北京七星华创电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。