一种能够测量温度而没有噪声影响的半导体存储器设备，包括温度感测设备，用于响应于控制信号感测当前温度，其中半导体存储器设备进入省电模式一从激活控制信号开始的预定时间，以及其中省电模式基本上没有功耗。一种根据本发明专利技术用于驱动半导体存储器设备的方法包括：响应于控制信号感测当前温度；以及进入省电模式一从激活控制信号开始的预定时间，其中所述省电模式基本上没有功耗。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设计技术；尤其涉及能够测量温度而没有噪声影响的半导体存储器设备。
技术介绍
通常，在半导体存储器设备中，单元包括作为开关的晶体管和存储电荷(数据)的电容器。因为由电容器中积累的电荷进行数据存储，所以基本上不导致功耗。然而，因为存在由MOS晶体管的PN结所引起的漏电流，会使最初存储的电荷消失。因此，这个漏电流导致存储数据的丢失。为了防止这个问题的出现，应该在数据丢失之前进行再充电操作，而且这个再充电操作通过从存储器单元中读出数据、然后基于所读出的数据再次再充电该存储器单元来实现。只有当定期重复这个再充电操作时，才维持所存储的数据。存储器单元中电荷的再充电处理被称为刷新操作，而且该刷新控制由DRAM控制器所实现。在DRAM中，由于需要刷新操作而引起了功耗。在诸如需要低功耗的便携式电子设备之类的、用电池供电的系统中减少功耗是非常重要的，而且目前这是关键性的问题。减小刷新所需要的功耗的各种努力之一是根据温度使刷新周期多样化。DRAM中的数据保持时间随着温度的降低而延长。因此，如果将温度场分割为不同的区域场，且在低温度场中相对降低刷新时钟的频率，则减小了功耗。因此，设备需要感测DRAM中的温度，并且输出有关所感测温度的信息。 此外，随着半导体存储器设备的集成化和工作速度的增加，在半导体存储器设备本身中产生了越来越多的热量。所产生的热量增加了半导体存储器设备中的内部温度，而且该内部温度扰乱了正常操作。内部温度可以导致半导体存储器设备的质量变次，而且可以起损坏半导体存储器设备本身的原因的作用。因此，应该准确地感测半导体存储器设备的温度。因此，设备需要准确地感测DRAM中的温度，并且输出有关所感测温度的信息。图I是半导体存储器设备中的传统温度感测设备的框图。参见图1，传统的温度感测设备包括温度感测单元10，响应于驱动信号0DTS_EN感测温度；ADC (模/数转换器)20，将来自温度感测单元10的模拟信号转换为数字信号；以及寄存器30，存储来自ADC 20的数字化温度值。现在将描述传统的温度感测设备的操作。首先，当激活驱动信号0DTS_EN时，温度感测单元10响应于所激活的驱动信号0DTS_EN感测当前温度，并且输出模拟温度值。随后，ADC 20将该模拟温度值转换为数字信号。寄存器30存储来自ADC 20的输出，并且将其作为温度值TM_VL而输出。然而，如上所述对温度感测设备的驱动不能反映当前温度。它降低了数据的可靠性或者它导致过多的功耗。这是因为对温度感测设备的驱动可以与对半导体存储器设备内其它设备的驱动一起执行。因此，由于由驱动其它电路所产生的噪声，会在温度值中出现误差。根据设备的操作，由于电流和电压消耗而产生诸如压降、振铃(ringing)现象或者振荡之类的电压不稳定情况。当把所感测的温度转换为数字值时，由不稳定的电压或者电流所产生的波动而引起误差。至于其周期由设备温度值确定的刷新，由于错误的温度值而不能以恰当的周期执行刷新。这个不恰当的刷新可以导致存储数据的丢失并且降低了存储器设备的可靠性。此夕卜，过多的刷新导致不必要的功耗。半导体存储器设备通常利用RAS定时制造，而该RAS定时具有根据配置的初步设计的预定值。然而，在制造了半导体存储器设备之后，与初步设计相比，可以不同地执行刷新操作。在这时候，对于半导体存储器设备执行刷新操作而言，预定的RAS定时可能太长或者太短。如果RAS定时太长，则还增加了刷新操作时间并且消耗了太多电流。另一方面，如果RAS定时太短，则未充分地执行刷新操作并且丢失所存储的数据。·
技术实现思路
本专利技术的实施例的目的在于提供能够没有噪声影响地测量温度的半导体存储器设备。根据本专利技术的一方面，半导体存储器设备包括温度感测设备，用于响应于控制信号感测当前温度，其中半导体存储器设备进入省电模式一从控制信号激活开始的预定时间，而且其中所述省电模式基本上没有功耗。根据本专利技术的另一个方面，一种用于驱动半导体存储器设备的方法，包括响应于控制信号感测当前温度；并且进入省电模式一从控制信号激活开始的预定预定时间，其中所述省电模式基本上没有功耗。根据本专利技术的进一步方面，一种半导体存储器设备包括计数装置，用于计数控制信号的输入，以及用于基于输入控制信号的预定次数数目而输出内部控制信号；以及温度感测设备，用于在未激活模式期间、响应于内部控制信号感测当前温度，其中半导体存储器设备进入省电模式一从激活内部控制信号开始的预定时间，以及其中所述省电模式基本上没有功耗。根据本专利技术的进一步方面，一种用于驱动半导体存储器设备的方法，包括计数控制信号输入的次数；当输入了所述次数的控制信号时，感测当前温度；以及在感测当前温度中进入省电模式一预定时间，其中所述省电模式基本上没有功耗。具体来讲，根据本专利技术一个方面，提供了一种半导体存储器设备，包含计数装置，用于计数控制信号的输入，以及用于基于控制信号输入的预定次数数目而输出内部控制信号；以及温度感测设备，用于在不活动模式期间、响应于所述内部控制信号感测当前温度，其中所述半导体存储器设备进入省电模式一从激活内部控制信号开始的预定时间，以及其中所述省电模式基本上没有功耗。根据本专利技术另一方面，提供了一种用于驱动半导体存储器设备的方法，包含计数输入控制信号的次数；当输入了所述次数的控制信号时，感测当前温度；以及在感测当前温度中进入省电模式ー预定时间，其中所述省电模式基本上没有功耗。根据本专利技术又一方面，提供了一种半导体存储器设备，包含温度感测装置，用于响应于控制信号感测当前温度；以及刷新装置，用于基于由温度感测装置的输出信号确定的时间阶段来刷新所述半导体存储器设备，其中所述半导体存储器设备进入省电模式ー从激活所述控制信号开始的预定时间，以及其中所述省电模式基本上没有功耗。根据本专利技术又一方面，提供了一种半导体存储器设备，包含计数装置，用于计数控制信号的输入，以及用于基于输入控制信号的预定次数而输出内部控制信号；温度感测装置，用于响应于该内部控制信号感测当前温度；以及刷新装置，用于基于由温度感测装置的输出信号确定的时间阶段来刷新所述半导体存储器设备，其中所述半导体存储器设备进入省电模式一从激活所述控制信号开始的预定时间，以及其中所述省电模式基本上没有功耗。附图说明图I是半导体存储器设备中的传统温度感测设备的框图。图2是根据本专利技术ー个实施例的半导体存储器设备的框图。图3是具有跟踪ADC的温度感测设备的框图。图4是基于温度变化驱动跟踪ADC的温度感测设备的框图。图5是说明图4中的温度感测设备的操作的波形。图6是根据本专利技术另一个实施例的半导体存储器设备的框图。图7是说明图6中的计数单元的内部电路图。图8是说明根据本专利技术的另ー个实施例的半导体存储器设备的操作的波形。具体实施例方式根据本专利技术显而易见可知，通过最小化电路驱动期间在电路中产生的功耗，温度感测设备可以測量没有噪声的确切温度。此外，因为刷新操作通过没有误差的温度值稳定地执行而且没有数据丢失，因此提高了设备的可靠性。此外，因为可以选择驱动温度感测设备的次数，所以可以减少由于温度感测设备的不必要驱动而引起的功耗。在下文中，将參考附图详细描述根据本专利技术的半导体存储器设备。图2是根据本专利技术ー个实施例的半导体存储器设备的框图。參见图2本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2006.04.13 KR 33729/061.一种半导体存储器设备,包含 计数装置，用于计数控制信号的输入，以及用于基于控制信号输入的预定次数数目而输出内部控制信号；以及 温度感测设备，用于在不活动模式期间、响应于所述内部控制信号感测当前温度， 其中所述半导体存储器设备进入省电模式一从激活内部控制信号开始的预定时间，以及其中所述省电模式基本上没有功耗。2.如权利要求I所述的半导体存储器设备，其中，所述省电模式是空闲状态或者断电模式。3.如权利要求I所述的半导体存储器设备，其中，所述省电模式是其中不存取存储器核心的不存取模式。4.如权利要求I所述的半导体存储器设备，其中，所述控制信号具有驱动片内终结器ODT或者片外驱动器OCD的阻抗匹配一预定时间的性能。5.如权利要求I所述的半导体存储器设备，还包含模式寄存器，用于设置输入控制信号的预定次数。6.如权利要求5所述的半导体存储器设备，其中所述计数装置包括 MRS解码装置，用于解码在模式寄存器中设置的值并且输出多个设置信号； 计数器，对输入控制信号的次数进行计数，然后输出多个计数信号； 比较装置，用于当所述设置信号和计数信号具有相同值时激活输出信号；以及内部控制信号生成装置，用于响应于所述控制信号、使用所述比较装置的输出信号产生内部控制信号。7.如权利要求6所述的半导体存储器设备，其中所述温度感测设备包括 温度传感器，响应于所述内部控制信号感测当前温度； AD转换装置，用于将来自温度传感器的模拟信号转换为数字信号；以及 存储装置，用于存储所述AD转换装置的输出信号，并且输出所存储的信号作为温度值。8.如权利要求7所述的半导体存储器设备，其中所述比较装置包括 多个异或非逻辑门，每个都接收多个设置信号之一和多个计数信号之一； 第一与非门，用于对多个异或非逻辑门的输出信号执行与非操作；以及 第一反相器，用于反相第一与非门的输出信号。9.如权利要求8所述的半导体存储器设备，其中所述内部控制信号生成装置包括 触发器，用于响应于所述控制信号接收比较装置的输出信号；以及 信号生成装置，用于通过感测比较装置或者触发器的输出信号的激活而输出内部控制信号。10.如权利要求9所述的半导体存储器设备，其中所述信号生成装置包括 第一边缘检测装置，用于检测比较装置的输出信号的激活； 第二边缘检测装置，用于检测触发器的输出信号的激活；以及 输出装置，用于当第一和第二边缘检测装置的输出信号被激活时输出内部控制信号。11.如权利要求10所述的半导体存储器设备，其中所述第一和第二边缘检测装置分别包括反相器链，用于延迟...
【专利技术属性】
技术研发人员：金敬勋，帕特里克B莫兰，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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