【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于制造硅结晶的。
技术介绍
近年来,由于关注环境问题或能源问题而使太阳能电池的需求格外高涨。根据用于发电机的半导体材料的种类不同,太阳能电池大致分为“硅类太阳能电池”和“化合物半导体类太阳能电池”2种。进一步,硅类太阳能电池被分为“结晶硅类太阳能电池”和“非结晶(非品质)硅类太阳能电池”,结晶硅类太阳能电池被分为“单晶硅类太阳能电池”和“多晶硅类太阳能电池”。关注作为太阳能电池最重要特性的转换效率会发现,近几年,化合物半导体类太阳能电池的转换效率最高达到近25%,其次是单晶硅类太阳能电池,其转换效率达到20% 上下,多晶硅类太阳能电池和非晶硅类太阳能电池等的转换效率为5 15%左右。另一方面,从材料成本方面考虑,硅作为地球上仅次于氧的第2多的元素,相较于化合物半导体格外便宜,因此硅类太阳能电池的普及率最高。在此,所谓“转换效率”是指用百分比(%)表示“用太阳能电池转换为电能而取出的能量与射入到太阳能电池的光的能量之比”的值。其次,简单说明单晶硅类太阳能电池的制造方法。首先,采用切克劳斯基法(CZ 法)和悬浮区熔法(FZ法)来制造圆柱形的单晶 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:须藤俊明,北原贤,吉冈拓麿,
申请(专利权)人:日本超精石英株式会社,
类型:发明
国别省市:
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