一种氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法技术

一种氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法，它涉及一种复合坩埚的制备方法。本发明专利技术是要解决目前的底部的热导率高于侧壁的坩埚的生产造价高并且生产成功率低的技术问题。本发明专利技术的氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法：制浆、浇注、脱坯、高温烧结。本发明专利技术的氮化硅/氧化硅复合坩埚可以提高加热效率和散热效率，极大改进了硅熔体的定向凝固效果，从而提高硅晶体生长的质量，可以降低晶体硅光伏发电的成本。本发明专利技术主要应用于多晶硅定向凝固生长。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法，其特征在于氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法是按以下步骤进行：一、制备底部浆料：将氮化硅粉末与石英粉均匀混合，得到陶瓷粉体，将陶瓷粉体在聚氨酯球磨罐中进行湿混球磨12h～16h，得到均匀的混合陶瓷粉体，将均匀的混合陶瓷粉体与水、交联剂Ⅰ和引发剂Ⅰ均匀搅拌混合，得到浆料Ⅰ，然后用乳酸或氨水调节浆料Ⅰ的pH值至3～4，得到浆料Ⅱ；步骤一中所述的氮化硅粉末与石英粉的质量比为1:（2.3～99）；步骤一中所述的混合陶瓷粉体与水的质量比为1:（0.3～0.6），步骤一中所述的交联剂Ⅰ与混合陶瓷粉体的质量比为1:（60～70），步骤一中所述的引发剂Ⅰ与混合陶瓷粉体的质量...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵丽丽，吕铁铮，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：