再装填原料多晶硅的方法技术

为了提供再装填原料多晶硅的方法，所述方法能够再装填大块多晶硅，同时防止坩埚被损坏、破裂以及限制所生长的锭的无位错率和质量的下降。当再装填多晶硅块时，首先引入缓冲层形成多晶硅块Sb，其为小尺寸多晶硅块S1或中尺寸多晶硅块S2。所述缓冲层形成多晶硅块Sb沉积在坩埚20中的硅熔体40的表面41上，并且形成缓冲层50。由于接下来将大尺寸多晶硅块S3引入到所述缓冲层50上，所述缓冲层50缓冲由于大尺寸多晶硅块S3落下而引起的冲击。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其是在使用切克劳斯基法(Czochralski method，下文称为“CZ法”)制备硅单晶锭(下文称为“锭”)的方法中，用来向坩埚中再供应原料多晶硅块的。用于制备半导体装置的半导体衬底由单晶硅片制成，并且所述CZ法广泛用于生长硅单晶锭。在所述CZ法中，坩埚装有多晶硅，并且将这种多晶硅熔化以获得硅熔体。然后，使晶种与所述硅熔体接触，并且通过提拉所述晶种而生长锭。难以再次使用已用过的坩埚。因此，为了降低制备锭的成本，通常使用多段拉晶技术，其中向所述坩埚再供应作为原料的多晶硅，以补足由于提拉锭而减少的硅熔体，并且反复提拉所述锭而不更换坩埚。例如，WO 02/068732中公开了借助于圆柱形再装填管再装填多晶硅的方法。这种再装填管包括圆柱形管和在所述再装填管下端的可拆开的圆锥形阀。在使用这种再装填管的再装填方法中，在所述管被所述圆锥形阀封闭的情况下，将固态多晶硅装入所述管中， 在移除所述锭后将所述再装填管置于所述坩埚上方，拆开所述圆锥形阀以打开所述管的下端，并且将多晶硅从所述管的下端供给至所述坩埚中。根据这种常规再装填方法，所述多晶硅从所述再装填管落入所述坩埚中的硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：加藤英生，吉村聡子，二宮武士，
申请(专利权)人：硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：