节省边料的多晶硅坩埚制造技术

本实用新型专利技术涉及石英陶瓷领域，公开了一种省边料的多晶硅坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖体，其中，所述坩埚本体的上端沿为削尖状，所述坩埚盖体的下侧面设有长方形圈状凹槽，当所述坩埚盖体盖设于所述坩埚本体上时，所述削尖状的坩埚本体的上端沿容置于所述长方形圈状凹槽内。本实用新型专利技术的省边料的多晶硅坩埚结构合理，采用上端沿削尖结构，使模具制造多晶硅坩埚过程中减少废料，从而节省边料，降低制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及化学仪器领域，尤其涉及一种省边料的多晶硅坩祸。
技术介绍
坩祸是化学仪器的重要组成部分，它是熔化和精炼金属液体以及固液加热、反应的容器，是保证化学反应顺利进行的基础。由于坩祸的稳定化学性能要求，因此，制造坩祸的材料都是比较珍贵的，在制造坩祸时除了需要把控制造成品的性能品质，同时也需要尽量节约坩祸的边角料，降低坩祸的制造成本。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本技术的目的是:提供一种节省边料的多晶硅坩祸，结构合理，采用上端沿削尖结构，使模具制造多晶硅坩祸过程中减少废料，从而节省边料，降低制造成本。为了解决
技术介绍
中的技术问题，本技术提供了一种节省边料的多晶硅坩祸，包括坩祸本体和坩祸盖体，其中，所述坩祸本体的上端沿为削尖状，所述坩祸盖体的下侧面设有长方形圈状凹槽，当所述坩祸盖体盖设于所述坩祸本体上时，所述削尖状的坩祸本体的上端沿容置于所述长方形圈状凹槽内。优选地，所述坩祸本体的下端面为光滑平面结构。优选地，所述坩祸本体的侧壁和下端面的交接处为非直角状，所述侧壁和下端面通过弧面连接。进一步地，所述坩祸本体为一正方体容器，所述坩祸本体的边长范围为0.8-lm。采用上述技术方案，本技术的省边料的多晶硅坩祸结构合理，采用上端沿削尖结构，使模具制造多晶硅坩祸过程中减少废料，从而节省边料，降低制造成本。【附图说明】为了更清楚地说明本技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。图1是本技术实施例提供的省边料的多晶硅坩祸的结构示意图。其中，图中附图标记对应为:1-坩祸本体1，2-坩祸盖体。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例:图1为本技术实施例提供的省边料的多晶硅坩祸的结构示意图，从图中可以清楚地看出，本实施例提供的省边料的多晶硅坩祸包括坩祸本体1和坩祸盖体2，其中，所述坩祸本体1的上端沿为削尖状，所述坩祸盖体2的下侧面设有长方形圈状凹槽，当所述坩祸盖体1盖设于所述坩祸本体1上时，所述削尖状的坩祸本体1的上端沿容置于所述长方形圈状凹槽内。优选地，所述坩祸本体1的下端面为光滑平面结构。优选地，所述坩祸本体1的侧壁和下端面的交接处为非直角状，所述侧壁和下端面通过弧面连接。相应地，制造多晶硅坩祸的模具内腔也设置为与所述坩祸本体1和坩祸盖体2形状一样，由于坩祸本体1的上端沿为削尖状，因此，在模具中成型后的多晶硅坩祸原体的边角料与产品只有薄薄的线状连接，不仅节省了边角料，而且在去除边角料时省时省力，不容易对坩祸产品造成损坏，降低了工艺成本，提高了产品合格率。进一步地，由于坩祸本体1的侧壁和下底面为非直角状，因此在模具成型过程中，在坩祸本体1的侧壁和下底面连接处不会产生边料，不仅节省了边料，还提高了产品成型的效率。进一步地，所述坩祸本体1为一正方体容器，所述坩祸本体1的边长范围为0.8-lm0本技术的省边料的多晶硅坩祸结构合理，采用上端沿削尖结构，使模具制造多晶硅坩祸过程中减少废料，从而节省边料，降低制造成本。以上所揭露的仅为本技术的几种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本技术之权利范围，因此依本技术权利要求所作的等同变化，仍属本技术所涵盖的范围。【主权项】1.省边料的多晶硅坩祸，其特征在于，包括坩祸本体(1)和坩祸盖体(2)，其中，所述坩祸本体(1)的上端沿为削尖状，所述坩祸盖体(2)的下侧面设有长方形圈状凹槽，当所述坩祸盖体(2)盖设于所述坩祸本体(1)上时，所述削尖状的坩祸本体(1)的上端沿容置于所述长方形圈状凹槽内。2.根据权利要求1所述的省边料的多晶硅坩祸，其特征在于，所述坩祸本体(1)的下端面为光滑平面结构。3.根据权利要求1所述的省边料的多晶硅坩祸，其特征在于，所述坩祸本体(1)的侧壁和下端面的交接处为非直角状，所述侧壁和下端面通过弧面连接。4.根据权利要求1-3中任意一项所述的省边料的多晶硅坩祸，其特征在于，所述坩祸本体(1)为一正方体容器，所述坩祸本体(1)的边长范围为0.8-lm。【专利摘要】本技术涉及石英陶瓷领域，公开了一种省边料的多晶硅坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖体，其中，所述坩埚本体的上端沿为削尖状，所述坩埚盖体的下侧面设有长方形圈状凹槽，当所述坩埚盖体盖设于所述坩埚本体上时，所述削尖状的坩埚本体的上端沿容置于所述长方形圈状凹槽内。本技术的省边料的多晶硅坩埚结构合理，采用上端沿削尖结构，使模具制造多晶硅坩埚过程中减少废料，从而节省边料，降低制造成本。【IPC分类】C30B28/06, C30B29/06【公开号】CN205035496【申请号】CN201520625748【专利技术人】钟伟, 陆文研 【申请人】无锡舜阳新能源科技有限公司【公开日】2016年2月17日【申请日】2015年8月19日本文档来自技高网...

【技术保护点】
省边料的多晶硅坩埚，其特征在于，包括坩埚本体（1）和坩埚盖体（2），其中，所述坩埚本体（1）的上端沿为削尖状，所述坩埚盖体（2）的下侧面设有长方形圈状凹槽，当所述坩埚盖体（2）盖设于所述坩埚本体（1）上时，所述削尖状的坩埚本体（1）的上端沿容置于所述长方形圈状凹槽内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟伟，陆文研，
申请(专利权)人：无锡舜阳新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32