多晶硅还原系统及其还原气体原料的进料方式技术方案

多晶硅还原系统及其还原气体原料的进料方式。该多晶硅还原系统包括：鼓泡式汽化器；氢气加热器；分别与鼓泡式汽化器和氢气加热器相连的多个静态混合器；以及分别与相应的静态混合器相连的多个多晶硅还原炉。本发明专利技术利用氢气在三氯氢硅液体中鼓泡，同时外部热源加热，使得三氯氢硅汽化，通过氢气鼓泡加速三氯氢硅的蒸发，最终得到三氯氢硅和氢气的混合气。通过控制鼓泡式汽化器的压力和温度，将鼓泡式汽化器混合气出气控制在一个较低的配比；再由侧路氢气通过氢气加热器加热后与鼓泡式汽化器混合气出气在静态混合器中充分混合至较高预定配比后直接进入相应的还原炉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及多晶硅还原系统。具体来说，涉及多晶硅还原系统中的还原气体原料的进料方式或提供方法。
技术介绍
多晶硅是重要的半导体原料，目前其生产的主流工艺为改良西门子法。多晶硅还原是改良西门子法的一个重要生产环节，其原料为三氯氢硅和氢气。多晶硅的产出方式为在原有硅棒表面上沉积，随着反应的进行，在硅棒表面沉积越多，硅棒的直径越大，三氯氢硅和氢气的消耗量也随直径的增大而增大。因此，在整个多晶硅沉积过程中，三氯氢硅气体和氢气进气量的变化是非常大的。由于三氯氢硅和氢气进气量直接影响多晶硅在硅棒上沉积的速率，故需要对二者的进气量进行灵活控制。同时，进料混合气中三氯氢硅与氢气的摩尔比也会影响沉积速率，因此，如何控制三氯氢硅气体和氢气进气量，以及两种气体的摩尔比成为影响多晶硅还原的重要环节。此外，由于多晶硅还原的重要原料三氯氢硅常温常压下是以液态存在，经过精馏提纯的三氯氢硅也是以液态进入多晶硅还原工序，所以，选择一种合适的三氯氢硅液体汽化方式成为多晶硅还原的关键之一。目前多晶硅还原系统进料方式主要有三种方式，分别是鼓泡式汽化、列管式汽化以及Liebig管式汽化。鼓泡式汽化方式是利用氢气在三氯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：齐林喜，刘占卿，
申请(专利权)人：内蒙古盾安光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：