菜花状及表面附氧化物的多晶硅原料的清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种菜花状及表面附氧化物的多晶硅原料的清洗装置，包括酸洗池、溢流池和超声波溢流清洗池，溢流池由至少一个隔板依次分隔成至少两个水池，每个水池的底部具有排水口，相邻的两个水池之间的隔板的上沿具有溢流开口；超声波清洗池包括清洗水池和设置在清洗水池内的超声波发生器，清洗水池内装有清洗液并具有循环补水装置，超声波发生器设置在清洗水池的两相对的侧壁和底部，还具有对清洗液加热的加热装置。本实用新型专利技术的菜花料及表面附氧化物的多晶硅原料的清洗装置，经清洗后原料的表面非常洁净，缝隙里不存在氧化物和其他杂质，充分去除菜花状原料，标准程序下能达到投炉铸锭或拉晶的生产要求。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及多晶硅原料清洗装置
，尤其是一种菜花状及表面附氧化物的多晶硅原料的清洗装置。
技术介绍
硅半导体耐高电压、耐高温、与其他半导体材料相比，体积小、效率高、寿命长、可靠性强、性能稳定，因而是最理想的太阳能电池材料，硅基太阳能电池占太阳能电池总量的 80%以上。如果按照每生产IW太阳能电池需用硅材料17g计算，2010年全世界太阳能级硅材料需求达到8000吨。太阳能级硅料的纯度要求在6N左右，低于半导体工业用硅10-12N的纯度要求，所以太阳能级硅料主要来自于半导体工业硅的废料和次品。随着全球太阳能电池产业的迅猛发展，太阳能硅料的来源已经无法满足其日益增长的需求，太阳能级硅来源出现了巨大的缺口。为了节约硅原料，要把多晶硅废料处理后再利用。CN2006100106M公开了一种冶金级硅的酸洗方法1)、将粉碎好后的硅粉物料先使用浓度为l-6mol/l的盐酸进行酸浸处理，浸出温度40-80°C，浸出时间为0. 5-2天，然后用蒸馏水清洗2-5次，再真空抽滤将硅粉与浸出液进行分离；2)、将分离出的硅粉物料用硝酸浓度为0. 5-6mol/l，温度40-80°C，二次浸出0. 5-2天本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种菜花状及表面附氧化物的多晶硅原料的清洗装置，包括酸洗池、溢流池（１）和超声波溢流清洗池（２），其特征在于：所述的溢流池（１）由至少一个隔板（１１）依次分隔成至少两个水池，每个水池的底部具有排水口（１２），相邻的两个水池之间的隔板（１１）的上沿具有溢流开口（１３）；所述的超声波清洗池（２）包括清洗水池和设置在清洗水池内的超声波发生器（２１），清洗水池内装有清洗液并具有循环补水装置，所述的超声波发生器（２１）设置在清洗水池的两相对的侧壁（２２）和底部（２３），还具有对清洗液加热的加热装置（２４）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周罗洪，李义，王达山，
申请(专利权)人：营口晶晶光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：21