腔室组件及应用该腔室组件的半导体处理设备制造技术

本发明专利技术公开了一种腔室组件，包括：腔室主体，所述腔室主体内限定有处理腔室；屏蔽部件，所述屏蔽部件设置在所述处理腔室内；和屏蔽冷却单元，所述屏蔽冷却单元至少设置在所述腔室主体的一端且与所述屏蔽部件接触，用于冷却所述屏蔽部件。根据本发明专利技术的腔室组件，通过单独设置屏蔽冷却单元对屏蔽部件进行冷却，因此屏蔽冷却单元可以单独制造，拆装，因此在拆装、更换时屏蔽冷却单元与屏蔽部件之间不会相互影响，从而频繁更换屏蔽部件时无需更换屏蔽冷却单元，降低了成本。本发明专利技术还公开一种具有上述腔室组件的半导体处理设备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种腔室组件及其应用该腔室组件的半导体处理设备。
技术介绍
随着半导体制备工艺的不断发展，物理气相沉积(PVD)设备或等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备等需要进行冷却处理的设备广泛用于当今的半导体、太阳能电池、 平板显示等制作工艺。物理气相沉积设备或等离子体增强化学气相沉积设备通常包括多个腔室组件。半导体处理设备的腔室组件限定的腔室内通常设有屏蔽部件，现有的屏蔽部件通常使用铜、铝等导体制成。在工艺过程中，由于涡流和离子轰击的影响，在屏蔽部件上会产生较大的热量。为使工艺过程更加稳定，需考虑对屏蔽部件进行必要的冷却。目前存在一种屏蔽部件，在该屏蔽部件中，采用在屏蔽部件中加入水循环以对该屏蔽部件进行冷却。如图1和图2所示，在屏蔽部件的上端和下端均形成有环形的水路通道61，、64，，水路通道61，、64，通过竖直通道63，、65，连接。其中，62，、66，分别为进水口和出水口。但是，采用上述现有的屏蔽冷却装置存在如下缺点1)设计复杂，加工成本高、周期长；2)屏蔽部件放置于腔室中，一旦漏水会造成比较严重的设备故障，降低了设备的可靠性；以及3)由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕铀，郑金果，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：