【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】非易失性存储器的层级式交点阵列
技术介绍
数据储存设备通常操作为以快速和有效的方式存储并提取数据。一些储存设备使用固态存储器单元的半导体阵列来储存数据的诸个单独比特。这样的存储器单元可以是易失性的(诸如，DRAM、SRAM)或非易失性的(RRAM、STRAM、闪存、等等)。可以被理解的是，易失性的存储器单元通常在对该设备的工作供电持续时保持存储在存储器中的数据，而非易失性的存储器单元通常即便在没有施加工作供电时也保持存储器中的数据储存。然而，非易失性存储器单元的阵列在各种操作期间可生成不期望的电流。这样不期望的电流在从存储器单元阵列快速且持续地读取数据时会产生问题。这样，在这些类型的数据储存设备或其他类型的数据储存设备中，经常期望提升效率和可靠性，特别是通过减少与更新数据相关联的开销储存空间来改善存储器空间的利用度。
技术实现思路
本专利技术的多种实施例针对用于从非易失性存储器单元读取数据的方法和设备。在一些实施例中，非易失性存储器单元的交点阵列排列为诸个行和列。提供有选择电路，该选择电路能激活第一存储器单元块并同时停用第二存储器单元块。进一步的，提供了读取电路，读取电路能...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·邱敏，L·勇，J·印斯克，K·扬皮儿，L·哈里，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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