非晶硅薄膜化学气相沉积系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种非晶硅薄膜化学气相沉积系统，包括电极盒及多个配气箱，所述多个配气箱分别通过管道与一输气管连接，所述输送管的末端与所述电极盒的进气口连接，所述配气箱与所述输气管连接的管道上设有调压阀和气动阀。该非晶硅薄膜化学气相沉积系统中，多配气箱通过一个输气管给电极盒进行输气，这样在镀膜过程中根据镀膜层的性质，只需控制各配气箱气体的开关、压力及流量就可使残留在输气管中的气体得到充分的利用，从而减少资源的浪费、提高气体的利用率，降低企业的生产成本，而且还可以提高镀膜的质量，获得良好的工艺效果。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子设备和太阳能电池技术，特别涉及一种用于生成非晶硅薄膜的化学气相沉积系统。
技术介绍
非晶硅薄膜太阳能电池是20多年来国际上新发展起来的一项太阳能电池新技术。非晶硅薄膜太阳能电池的硅材料厚度只有1微米左右，是单晶硅太阳能电池硅材料厚度的1/200-1/300，与单晶硅太阳能电池相比，制备这种薄膜所用硅原料很少，薄膜生长时间较短，设备制造简单，容易大批量连续生产，根据国际上有关专家的估计，非晶硅薄膜太阳能电池是目前能大幅度降低成本的最有前途的太阳能电池。非晶硅材料是由气相沉积形成的，目前已被普遍采用的方法是等离子增强型化学气相沉积(PECVD)法。PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD 称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。薄膜化学气相沉积是非晶硅薄膜太阳能电池的规模化生产的核心工艺，实现该工艺的核心设备是电极盒。目前在进行薄膜化学气相沉积时，一般需要将电极盒的进气口通过不同管道同时与多个的配气箱连接，然后根据不同的镀膜层控制配气箱的气体压力和流量来完成镀膜。而在镀膜过程中管道中通常会残留一些气体，这些气体往往不能被得到充分的利用，这样就会造成资源的浪费，同时也使得企业的生产成本提高。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本技术要解决的技术问题是提供一种有效提高气体利用率的非晶硅薄膜化学气相沉积系统。为解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案—种非晶硅薄膜化学气相沉积系统，包括电极盒及多个配气箱，所述多个配气箱分别通过管道与一输气管连接，所述输送管的末端与所述电极盒的进气口连接，所述配气箱与所述输气管连接的管道上设有调压阀和气动阀。优选的，所述输气管的长度大于Sm。优选的，所述电极盒的进气口上设有勻气板。优选的，所述多个配气箱包括H2配气箱、CH4配气箱、SiH4配气箱和TMB配气箱。优选的，所述配气箱与所述输气管连接的管道上还设有手动隔膜阀。上述技术方案具有如下有益效果该非晶硅薄膜化学气相沉积系统中，多配气箱通过一个输气管给电极盒进行输气，这样在镀膜过程中根据镀膜层的性质，只需控制各配气箱气体的开关、压力及流量就可使残留在输气管中的气体得到充分的利用，从而减少资源的浪费、提高气体的利用率，降低企业的生产成本，而且还可以提高镀膜的质量，获得良好的工艺效果。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本技术的较佳实施例并配合附图对本专利进行详细说明。附图说明图1为本技术实施例的结构示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术的优选实施例进行详细介绍。如图1所示，该非晶硅薄膜化学气相沉积系统包括电极盒1和H2配气箱5、CH4配气箱4、SiH4配气箱2、TMB配气箱3四个配气箱。H2配气箱5、CH4配气箱4、SiH4配气箱 2、TMB配气箱3分别通过管道与一输气管6连接，各配气箱与输气管6连接的管道上均设有调压阀9、气动阀7和手动隔膜阀8，输送管6的末端与电极盒1的进气口连接。电极盒 1的进气口上设有勻气板，这样可使进入电极盒内的气体更加的均勻。下面以P层镀膜为例对该非晶硅薄膜化学气相沉积系统的工作过程进行详细介绍。在进行P 层镀膜时首以 SiH4 :2200sccm、H2 :8000sccm、TMB 1800sccm、CH4 :12000sccm， 压力0. 5Τοπ·，射频功率350W镀膜60S，在镀膜基片上形成P层镀膜；待P层镀膜完成后关闭 TMB 配气箱 3、CH4 配气箱 4 上的气动阀 7，以 SiH4 :4000sccm、H2 :8000sccm、TMB :0sccm、 CH4 =Osccm的条件镀膜70秒形成P层缓冲层镀膜。该P层缓冲层镀膜就是充分利用输气管6内残余的TMB气体完成的。用输气管6内残余的TMB气体来生产P层缓冲层镀膜不但可以节省TMB气体用量，而且实现浓度梯度分布要求，使其同时具有良好的工艺效果。可为保证输气管6内有足够多的残余气体，输气管6的长度应超过Sm。通过上述描述可知，该非晶硅薄膜化学气相沉积系统可使残留在输气管中的气体得到充分的利用，从而减少资源的浪费、提高气体的利用率，降低企业的生产成本，而且还可以提高镀膜的质量，获得良好的工艺效果。以上对本技术实施例所提供的一种非晶硅薄膜化学气相沉积系统进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本技术实施例的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制，凡依本技术设计思想所做的任何改变都在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种非晶硅薄膜化学气相沉积系统，包括电极盒及多个配气箱，其特征在于所述多个配气箱分别通过管道与一输气管连接，所述输送管的末端与所述电极盒的进气口连接，所述配气箱与所述输气管连接的管道上设有调压阀和气动阀。2.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜化学气相沉积系统，其特征在于所述输气管的长度大于8m。3.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜化学气相沉积系统，其特征在于所述电极盒的进气口上设有勻气板。4.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜化学气相沉积系统，其特征在于所述多个配气箱包括H2配气箱、CH4配气箱、SiH4配气箱和TMB配气箱。5.根据权利要求1所述的非晶硅薄膜化学气相沉积系统，其特征在于所述配气箱与所述输气管连接的管道上还设有手动隔膜阀。专利摘要本技术公开了一种非晶硅薄膜化学气相沉积系统，包括电极盒及多个配气箱，所述多个配气箱分别通过管道与一输气管连接，所述输送管的末端与所述电极盒的进气口连接，所述配气箱与所述输气管连接的管道上设有调压阀和气动阀。该非晶硅薄膜化学气相沉积系统中，多配气箱通过一个输气管给电极盒进行输气，这样在镀膜过程中根据镀膜层的性质，只需控制各配气箱气体的开关、压力及流量就可使残留在输气管中的气体得到充分的利用，从而减少资源的浪费、提高气体的利用率，降低企业的生产成本，而且还可以提高镀膜的质量，获得良好的工艺效果。文档编号C23C16/24GK202201971SQ201120284738公开日2012年4月25日 申请日期2011年8月5日 优先权日2011年8月5日专利技术者郭锋 申请人:上海曙海太阳能有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭锋，
申请(专利权)人：上海曙海太阳能有限公司，
类型：实用新型
国别省市：