磁记录介质的制造方法技术

制造磁图案的对比度高的磁记录介质。通过改变用于加速处理气体的离子的加速电压，即便作为抗蚀剂（４９）的薄膜部分的离子透过部（４８）的膜厚减少，也能够将目标元素的注入量为最大的距磁性层（４４）的深度（峰值深度Ｄ０、Ｄ１）设为设定的深度。通过将峰值深度（Ｄ０、Ｄ１）设为设定的深度，将磁性膜（４４）的处理部（４３）从表面非磁性化至背面，并分离磁性部，因而得到磁图案的对比度高的磁记录介质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种硬盘等。
技术介绍
硬盘磁记录介质中，已知DTR(Discrete Track Recording media 离散跟踪记录介质)或BPM(Bit Patterned Media 位介质)，尤其是多个磁性膜成位(bit)状分散的BPM 被作为下一代高密度记录介质而备受期待。关于这种磁记录介质的磁性膜，此前提出了通过使用了蚀刻工艺的构图来形成位。磁记录介质在记录再现时，由于磁头上浮于磁记录介质的表面，所以要求表面平滑。因此，在构图后，需要由非磁性材料来填埋磁性膜之间的平滑化工序。为了省去平滑化工序，简化工序，已知如下方法，即向在磁性膜上配置了抗蚀剂层的处理对象物上照射处理气体的离子(离子束)的方法(参照下述专利文献1、2)。虽然磁性膜中被抗蚀剂层覆盖的部分被保护，未被非磁性化，但向未配置抗蚀剂层的处理部中注入作为处理气体的构成原子即目标元素，进行非磁性化。因此，在磁性膜上，沿抗蚀剂层的开口图案，形成非磁性化的部分，磁性残留的部分(磁性部)被非磁性化的部分分离，构成磁记录介质的记录部。专利文献1 特开2002-288813号公报专利文献2 特开2008-77756号公报为了将处理部从表面非磁性化至底面，通常在磁性膜内设定目标元素的注入量为最大的峰值深度，利用成为所设定的峰值深度的加速电压来照射离子束。但是，若由底版(压膜)等形成抗蚀剂，则处理部上也将残留抗蚀剂的薄膜，若该薄膜被离子束蚀刻，则即便加速电压恒定，峰值深度也会向底面侧移动。若峰值深度向底面侧移动，则磁性膜的表面部分等未被充分非磁性化，磁性部未被分离。若磁性部未被分离， 则当写入信息时将引起称为洇字(書务1二 ^ 的现象。
技术实现思路
为了解决上述课题，本专利技术涉及一种，在具有基板、和配置在所述基板表面上的磁性膜的处理对象物的所述磁性膜上，配置了具有离子遮蔽部、和膜厚比所述离子遮蔽部薄的离子透过部的抗蚀剂，加速处理气体的离子，使所述处理气体的构成元素透过所述离子透过部，向所述磁性膜的所述离子透过部所在的处理部注入所述构成元素，使其非磁性化，其中，改变用于加速所述处理气体的离子的加速电压，从而使所述处理部非磁性化。本专利技术涉及一种，其中，对应于所述离子透过部的膜厚变化，以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度恒定的方式来改变所述加速电压。本专利技术涉及一种，其中，改变所述加速电压，以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度发生移动。本专利技术涉及一种，其中，以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度从所述基板侧移动到所述抗蚀剂侧的方式来改变所述加速电压。本专利技术涉及一种，其中，以使所述构成元素的注入量为最大的距所述磁性膜表面的深度从所述抗蚀剂侧移动到所述基板侧的方式来改变所述加速电压。专利技术效果通过改变加速电压，可将目标元素的注入量为最大的峰值深度设为设定的深度，故能够从磁性膜的表面至底面均勻地非磁性化。由于进行信息写入/读出的磁性部(记录部) 被分离，故磁图案的对比度好，不会引起洇字。附图说明图1是表示本专利技术中使用的制造装置的一例的截面图。图2(a) (C)是示意地表示非磁性化的工序的截面图。图3是表示磁记录介质的一例的截面图。符号说明40……处理对象物 41……基板 44……磁性膜 47……离子遮蔽部 48……离子透过部 49……抗蚀剂。具体实施例方式图1的符号10表示本专利技术中使用的制造装置的一例。该制造装置10具有真空槽11和离子发生装置15。离子发生装置15的内部空间经未图示的释放口连接于真空槽11的内部空间。将气体供给系统16连接到离子发生装置15，将真空排气系统19连接到真空槽11。由真空排气系统19对真空槽11内部进行真空排气，从气体供给系统16向离子发生装置15内提供例如队气等处理气体，若通电到离子发生装置15内的高频天线(未图示)，则在离子发生装置15内处理气体将离子化，产生带正电或负电的处理气体的离子。在真空槽11内部与释放口相面对的位置配置有加速装置20。加速装置20具有一个或多个加速电极21a 21d，加速电极21a 21d沿释放处理气体离子的方向排列。在加速电极21a 21d上分别形成有贯通孔，处理气体离子在加速装置20的内部 (各加速电极21a 21d的贯通孔与加速电极21a 21d之间的空间)飞行。将加速电极21a 21d连接在加速电源装置22上。加速电源装置22具有控制装置四与供电源25，供电源25将极性或大小不同的电压作为加速电压施加在彼此邻接的加速电极21a 21d。由于处理气体离子带电，所以在加速装置20的内部飞行期间，由加速电4场加速后，释放到真空槽11内部。供电源25连接在控制装置四上。控制装置四构成为可根据设定的信息，改变供电源25施加于加速装置20的加速电压，并改变处理气体离子的加速能量。下面，说明制造磁记录介质的工序。图2 (a)的符号40表示处理对象物。处理对象物40具有基板41、形成于基板41 的单面或双面上的磁性膜44、以及形成于磁性膜44表面上的保护膜46。也可以在基板41 与磁性膜44之间设置基底膜。事先确定磁性膜44中非磁性化的处理部43与未被非磁性化而残留的非处理部 42。使用压膜将抗蚀剂49转印到磁性膜44上，在非处理部42上配置由抗蚀剂49的厚膜部分构成、并用于遮蔽离子的离子遮蔽部47，在处理部43上配置由比抗蚀剂49的离子遮蔽部47薄的薄膜部分构成、并用于使离子透过的离子透过部48(图2(b))。确定磁性膜44的膜厚，根据该膜厚与处理部43上的离子透过部48的厚度与面积，能够知道处理部43的非磁性化所需的目标元素注入用的能量。根据事先求出的磁性膜 44的磁特性变化量与注入离子量的关系，确定处理部43非磁性化用的离子注入量。若向离子透过部48与离子遮蔽部47射入离子，则根据离子能量与离子的入射时间(离子注入时间)，离子透过部48与离子遮蔽部47的膜厚减少。能够知道对处理部43 进行非磁性化所需的目标元素的注入量，事先求出注入该量时的离子透过部48的膜厚减少量。图2(b)、(c)的符号I；、T1是离子透过部48的膜厚，符号Ttl是由处理气体离子进行蚀刻前的非磁性化处理开始时的初始膜厚，符号T1是注入必要量的目标元素的非磁性化处理终止时的最终膜厚。若将从磁性膜44表面至目标元素的注入量为最大的位置的深度设为‘峰值深度’，则峰值深度可在以0为下限、且以与磁性膜44的膜厚相同的距离为上限的范围内进行变更。图2(b)、(c)的符号DpD1表示作为非磁性化开始时的峰值深度的初始峰值深度、 和作为注入必要量的目标元素时的峰值深度的最终峰值深度。初始峰值深度Dtl与最终峰值深度D1相等，因此，存在如下情形峰值深度恒定的情形；初始峰值深度Dtl比最终峰值深度 D1大，随着离子注入的经过时间，峰值深度的位置从基板41侧移动到抗蚀剂49侧的情形； 和初始峰值深度Dtl比最终峰值深度D1小，随着离子注入的经过时间，峰值深度的位置从抗蚀剂49侧移动到基板41侧的情形。求出离子透过部48在初始膜厚Ttl时为初始峰值深度Dtl的初始加速电压Vtl、与离子透过部48在最终膜厚T1时为最终峰值深度D1的最终加速电压V1，并设定给控制装置四。在真空槽11内形成真空环境本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．　一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，在具有基板、和配置在所述基板表面上的磁性膜的处理对象物的所述磁性膜上，配置具有离子遮蔽部、和膜厚比所述离子遮蔽部薄的离子透过部的抗蚀剂；使处理气体的离子加速，使所述处理气体的构成元素透过所述离子透过部，向所述磁性膜的所述离子透过部所在的处理部注入所述构成元素，使其非磁性化；改变用于加速所述处理气体的离子的加速电压，从而使所述处理部非磁性化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：西桥勉，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP