本发明专利技术涉及具有磁分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法、该磁记录介质和磁记录再生装置。本发明专利技术的制造方法，在非磁性基板上形成连续的记录层后，以不被覆该记录层的一部分的方式在该记录层上形成包含选自Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ元素群中的任一种以上的元素的掩模层，其后，通过将记录层的表面上的未被掩模层覆盖的部位暴露在反应性等离子体或在该反应性等离子体中生成的反应性离子中将该部位的记录层非晶质化，从而对所述部位的磁特性进行改性的磁特性改性工序，形成磁分离了的磁记录图案。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有磁分离了的磁记录图案的磁记录介质的制造方法、该磁记录介质 和磁记录再生装置。
技术介绍
近年，磁盘装置、软盘装置、磁带装置等的磁记录装置的适用范围在显著地扩大。 这样随着磁记录装置的重要性增大，也在谋求用于这些装置中的磁记录介质的记录密度 的显著的提高。尤其是导入MR磁头(Magnetoresistive Head)以及有关PRML(Partial Response MaximumLikelihood)信号处理的技术以来，面记录密度的上升更加飞跃地提 高，近年随着又导入了 GMR 磁头(Giant Magneto Resistive Head)、TMR 磁头(Tunneling Magneto Resistive Head)等，每年在以100%的速度继续增加。对于上述的磁记录介质，今 后要求实现进一步高的记录密度，因此要求实现磁记录层的高矫顽力化，高信噪比(Signal to Noise Ratio :SNR)、高分辨能力。另外，近年也在继续着在提高线记录密度的同时通过 增加磁道密度来提高面记录密度的努力。最新的磁记录装置的磁道密度已达到IlOkTPI (tracks per inch)。然而，若将磁 道密度提高下去的话，则相邻的磁道间的磁记录信息相互干扰，其边界区域的磁化迁移成 为噪声源，容易产生使SNR劣化的问题。这直接导致比特错码率(Bit Error rate :BER)的 增加，因此对记录密度的提高造成障碍。为了提高面记录密度，必须使磁记录介质上的各记录比特的尺寸更加微细，对各 记录比特确保尽可能大的饱和磁化和磁性膜厚。然而，若将记录比特微细下去的话，则每一 比特的磁化最小体积变小，由于由热摆导致的磁化反转而产生记录数据消失的问题。另外，由于磁道间距离接近，因此磁记录装置在要求极高精度的磁道伺服技术的 同时，在再生时必须尽量排除来自相邻磁道的影响。因此，一般地采用下述方法宽幅地进 行记录，比记录时窄地进行再生。该方法能够将磁道间的影响抑制在最小限度，但难以充分 得到再生输出，因此存在难以确保充分的SNR的问题。作为解决这样的热摆的问题、确保高的SNR或者确保充分的输出的方法之一，曾 进行了下述尝试通过在记录介质表面形成沿着磁道的凹凸、将记录磁道彼此物理性地分 离来提高磁道密度。以下将这样的技术称作分离磁道(离散磁道)法，将利用该技术制造 的磁记录介质称作分离磁道介质(离散磁道介质)。作为分离磁道介质的一例，已知在表面形成了凹凸图案的非磁性基板上形成磁 记录介质，形成物理性地分离的磁记录磁道和伺服信号图案而成的磁记录介质。例如，日本特开2004-164692号公报(以下称为专利文献1)公开的磁记录介质， 是在表面具有多个凹凸的基板表面上隔着软磁性层而形成强磁性层，在该强磁性层的表面 形成了保护膜的磁记录介质。该磁记录介质，在凸部区域形成有与周围物理性地分隔的磁 记录区域。上述专利文献1中记载着根据该磁记录介质，能够抑制在软磁性层中的磁畴壁发生，因此难以出现热摆的影响，能够防止各个记录比特间的干扰，对相邻比特所致的记录 消失和噪音的降低有效果，因此能够形成噪声少的高密度磁记录介质。另外，分离磁道法，例如，如日本特开2004-178793号公报(以下称为专利文献2) 和日本特开2004-178794号公报(以下，称为专利文献3)所公开的那样，有在形成了由 几层的薄膜构成的磁记录介质之后形成磁道的方法；以及，预先在基板表面直接形成凹凸 图案后或者在用于形成磁道的薄膜层上形成凹凸图案后，进行磁记录介质的薄膜形成的方 法。其中，专利文献2的方法，往往被称为磁层加工型，由于对表面的物理性加工在介 质形成后实施，因此存在介质在制造过程中容易被污染的缺点，并且制造工序很复杂。另一 方面，后者往往被称为压花加工型，在制造过程中介质难以被污染，但形成于基板上的凹凸 形状也会被成膜出的膜继承，因此存在一边在介质上浮起一边进行记录再生的记录再生磁 头的浮起姿势、浮起高度不稳定的问题。另外，在日本特开平5-205257号公报(专利文献4)、日本特开2006-209952号公 报(专利文献5)和日本特开2006-309841号公报(专利文献6)中公开了下述方法通过 对预先形成了分离磁道介质的记录磁道间区域的记录层(磁性层)注入氮、氧等的离子，或 者照射激光，使其部分磁特性变化从而形成上述记录磁道。然而，上述方法中，记录层由于离子注入或激光照射而遭受损伤，有时在记录层表 面形成凹凸。另外，该方法中，虽然注入的离子或激光的能量高，但存在下述问题介质全面 平均的能量密度低，直到使介质全面的磁性变化的处理时间变长。另夕卜，日本特开2002-359138号公报(以下，称为专利文献7)中记载了磁性体的 图案化方法通过将磁记录介质的强磁性体层表面的露出部暴露在含有卤素的活性的反应 气体中，将强磁性体进行氟化，从而将强磁性体进行非强磁性体化。专利文献7所公开的方法，不伴有记录层的物理性加工，因此能够减少加工记录 层时的污染。另外，与在记录层的磁特性改性中使用离子束等的场合相比，能够以短时间进 行记录层的磁特性改性。然而，在采用了专利文献7所述的方法的场合，在磁记录区域的周围形成氟化钴 等的氟化物，该氟化物慢慢地侵蚀磁记录区域的记录层的情形变得明显。尤其是，在作为掩 模层使用了容易与反应性等离子体形成化合物的物质的场合，掩模层的化合物容易扩散到 磁记录区域的情形变得明显。而且，在高温高湿的环境下使用了采用该磁记录介质的硬盘 驱动器的场合，磁记录再生特性经时地降低的情形变得明显。本专利技术是鉴于上述状况而完成的，作为掩模层使用相对于反应性等离子体稳定的 层，使之不形成与卤素等的化合物。本专利技术的目的在于，提供根据该构成防止来自掩模层的 化合物的扩散，具有优异的磁记录图案分离性能而不受相邻图案间的信号干扰的影响，并 且即使是在高温高湿的环境下使用也能够改善磁记录再生特性随时间的降低的磁记录介 质的制造方法、磁记录介质和磁记录再生装置。
技术实现思路
(1)为了达到上述目的，本专利技术的第1专利技术，为一种具有磁分离了的磁记录图案的 磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括在非磁性基板上形成连续的记录层后，以不被覆该记录层的一部分的方式在该记 录层上形成包含选自Pt、Ru、Pd元素群中的任一种以上的元素的掩模层的工序；以及，其后，将记录层的表面上的未被掩模层覆盖的部位暴露在反应性等离子体、或在 该反应性等离子体中生成的反应性离子中，将该部位的记录层非晶质化，对该部位的磁特 性进行改性的磁特性改性工序，通过该磁特性改性工序，形成磁分离了的磁记录图案。(2)本专利技术的第2专利技术，其特征在于，在涉及磁记录介质的制造方法的上述第1发 明中，上述磁特性改性工序，使改性了的记录层的磁化量为当初的75%以下。(3)本专利技术的第3专利技术，其特征在于，在上述的第1专利技术或第2专利技术中，上述反应性 等离子体为含有导入氧气而生成的氧离子的等离子体。(4)本专利技术的第4专利技术，其特征在于，在涉及磁记录介质的制造方法的上述第1发 明 第3专利技术中，上述反应性等离子体含有卤素和卤素离子。(5)本专利技术的第5专利技术，其特征在于，在上述的第4专利技术中，上述记录层上的暴露在 卤素和卤素离子中本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁记录介质的制造方法，所述磁记录介质具有磁分离了的磁记录图案，该制造方法的特征在于，包括： 在非磁性基板上形成连续的记录层后，以不被覆该记录层的一部分的方式在该记录层上形成包含选自Ｐｔ、Ｒｕ、Ｐｄ元素群中的任一种以上的元素的掩模层的工序；以及， 其后，将记录层的表面上的未被掩模层覆盖的部位暴露在反应性等离子体或在该反应性等离子体中生成的反应性离子中，将该部位的记录层非晶质化，对所述部位的磁特性进行改性的磁特性改性工序， 通过所述磁特性改性工序，形成磁分离了的磁记录图案。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：福岛正人，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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