本发明专利技术提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，并能够实现更高记录密度化的磁记录介质。本发明专利技术的磁记录介质，至少在非磁性基板之上按顺序层叠有软磁性基底层（30）、种子层（31、32）、取向控制层（33）和垂直磁性层。软磁性基底层（30）具有非晶或微晶结构。种子层（31、32）包含第1种子层（31）和在其上以岛状或网状形成的第2种子层（32），所述第1种子层（31）包含金属氧化物或金属氮化物，所述第2种子层（32）包含金属。取向控制层（33）以及垂直磁性层中，以第2种子层（32）为起点，各自的晶粒构成了在厚度方向连续的柱状晶。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁记录介质及其制造方法以及磁记录再生装置
本专利技术涉及磁记录介质及其制造方法以及磁记录再生装置。本申请基于在2011年5月17日在日本提出申请的专利申请2011-110354号要求优先权，将其内容援引于本申请中。
技术介绍
作为磁记录再生装置的一种的硬盘装置(HDD)，现在其记录密度正以年率50%以上增加，一般认为今后该倾向也会持续。与之相伴适合于高记录密度化的磁头和磁记录介质的开发正在推进。现在，市售的磁记录再生装置中所搭载的磁记录介质，是磁性膜内的易磁化轴主要垂直地取向的所谓的垂直磁记录介质。垂直磁记录介质在高记录密度化时记录位间的边界区域的反磁场的影响也小，可形成鲜明的位边界，因此噪声的增加受到抑制。而且，与高记录密度化相伴的记录位体积的减少较少，因此也抗热摆效应。因此，近年引起了较大的关注，曾提出了适合于垂直磁记录的介质的结构。另外，为了对应于磁记录介质的更加高记录密度化这一迫切要求，曾研究了使用对垂直磁性层的写入能力优异的单磁极磁头。为了对应于这样的单磁极磁头，曾提出了通过在作为记录层的垂直磁性层和非磁性基板之间设置被称为衬里层的包含软磁性材料的层，来使单磁极磁头和磁记录介质之间的磁通的出入效率提高的磁记录介质。但是，使用简单地设置了上述衬里层的磁记录介质的磁记录再生装置，在记录再生时的记录再生特性、抗热摆性、记录分辨能力上并不能满足，迫切希望获得这些特性优异的磁记录介质。尤其是作为记录再生特性，增大再生时的信号与噪声之比(S/N比)的高S/N比、和抗热摆性的提高是重要的，它们的兼具在今后的高记录密度化方面是必需事项。但是，由于这两个项目具有相反的关系，因此如果提高一方，则另一方变得不充分，在高水平下的兼具成为重要的课题。为了解决这样的课题，曾提出了一种磁记录介质，其特征在于，通过使用非磁性层等使三层磁性层AFC (反铁磁耦合)结合，来一边享受合成Mrt和PW50降低这一优点，一边不引起S/N比的降低(例如，参照专利文献I)。具体地讲，该专利文献I中记载了一种磁记录介质，其特征在于，具备:基板；设置于上述基板上，具有剩余磁化Mr、厚度t和剩余磁化X厚度积Mrt的第I下部铁磁性层；设置于上述第I下部铁磁性层上的铁磁性耦合层；设置于上述铁磁性耦合层上，具有Mrt值的第2下部铁磁性层；设置于上述第2下部铁磁性层上的反铁磁性耦合层；和设置于上述反铁磁性耦合层上，具有比上述第I和第2下部铁磁性层的Mrt值的合计大的Mrt值的上部铁磁性层。另一方面，为了使垂直磁记录介质的记录再生特性、热摆特性提高，曾提出了下述方案:使用取向控制层，形成多层磁性层，形成为将各个磁性层的晶粒连续的柱状晶，由此提高磁性层的垂直取向性(例如，参照专利文献2 )。另外，公开了作为取向控制层使用例如Ru。Ru在其柱状晶的顶部具有拱顶状的凸部，因此具有在该凸部上生长磁性层等的晶粒，并且促进生长了的晶粒的分离结构，并且使晶粒孤立化，使磁性粒子柱状地生长的效果(例如，参照专利文献3)。另外，曾提出了为将构成取向控制层的柱状晶微细化，在软磁性层和取向控制层之间设置作为种子层(seed layer)的NiW合金层(例如，参照专利文献4)。另外，曾提出了一种磁记录介质，其是在基板上具有软磁性层、中间层、垂直记录层和保护层的结构的磁记录介质，从接近于基板的一侧起，第I中间层是以选自Pd、Pt、Au、Ag,Rh,Ru,Ti中的至少一种元素为主成分的金属层，第2中间层是含氧层，第3中间层是以选自Pd、Pt、Au、Ag、Rh、Ru、Ti中的至少一种元素为主成分的金属层,第4中间层是以选自Co、Cr、Ru、Ti中的至少一种元素为主成分的金属层，上述垂直记录层以Co为主成分，并且含有氧(例如，参照专利文献5)。而且,在该专利文献5的段落?中记载了:通过使用由第I中间层控制垂直取向，在第2中间层的含氧层和第三中间层的金属层中形成岛状地孤立的结构(凸状的结构)，以该凸形状为核进一步形成密排六方结构的第4中间层的四层结构中间层，且在记录层中含有氧，从而记录层的矫顽力和角形比提高，介质噪声降低，抗热退磁特性提闻。在先技术文献专利文献1:日本特开2005-276410号公报专利文献2:日本特开2004-310910号公报专利文献3:日本特开2007-272990号公报专利文献4:日本特开2007-179598号公报专利文献5:日本特开2004-134041号公报
技术实现思路
然而,对磁记录介质的高记录密度化的要求不会停止,对磁记录介质要求比以往更高的特性的提高。具体地讲，为了提高磁记录介质的记录密度，需要将构成上述的取向控制层的晶体微细化，将形成于其上的柱状结构的磁性粒子微细化。再者，可知:上述专利文献5所记载的专利技术中，软磁性层和第I中间层的形成伴有高温下的热处理(参照段落)，因此这些层的结晶化和晶粒的粗大化会进行，磁性粒子的微细化被阻碍。本专利技术是鉴于这样的现有情况而提出的，其目的在于提供一种维持垂直磁性层的高的垂直取向性，并能够进行更高记录密度化的磁记录介质及其制造方法、以及具备这样的磁记录介质的磁记录再生装置。本专利技术人为了解决上述课题而反复专心研究的结果发现:通过在具有非晶或微晶结构的软磁性基底层之上形成包含表面能小的金属氧化物或金属氮化物的第I种子层，并在其表面形成包含熔点比较低、且表面能大的具有fee结构或hep结构的金属的第2种子层，由此在该第2种子层的生长初始核的产生时，不受构成软磁性基底层和/或第I种子层的晶粒的影响，构成第2种子层的晶粒成为微细且均质的晶粒。而且发现:能够由微细且具有均质的粒径的晶粒构成以该第2种子层为起点，从取向控制层到垂直磁性层的最上层在厚度方向连续地结晶生长的各层的柱状晶，从而完成了本专利技术。S卩，本专利技术提供以下的方案。(I) 一种磁记录介质，是至少具有在非磁性基板之上按顺序层叠了软磁性基底层、种子层、取向控制层和垂直磁性层的构成的磁记录介质，其特征在于，上述软磁性基底层具有非晶或微晶结构，上述种子层包含第I种子层和在其上以岛状或网状形成的第2种子层，所述第I种子层包含金属氧化物或金属氮化物，所述第2种子层包含金属，上述取向控制层以及上述垂直磁性层中，以上述第2种子层为起点，各自的晶粒构成了在厚度方向连续的柱状晶。(2)根据前项(I)所述的磁记录介质，其特征在于，上述第I种子层含有选自CrN、TiN、AIN、ZnO, TiO、MgO 中的任一种。(3)根据前项(2)所述的磁记录介质，其特征在于，上述第I种子层含有ZnO或A1N。(4)根据前项(I)?(3)的任一项所述的磁记录介质，其特征在于，上述第I种子层的膜厚在0.4nm?IOnm的范围内。(5)根据前项(I)?(4)的任一项所述的磁记录介质，其特征在于，上述第2种子层含有选自Cu、Au、Ag中的任一种。(6)根据前项(5)所述的磁记录介质，其特征在于，上述第2种子层含有Au或Ag。(7)根据前项(I)?(6)的任一项所述的磁记录介质,其特征在于,上述取向控制层含有选自Ru、Ru合金、CoCr合金中的任一种。(8)根据前项(7)所述的磁记录介质，其特征在于，上述取向控制层含有Ru。(9) 一种磁记录介质的制造方法，所述磁记录介质至少具有在非磁性基板之上按本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁记录介质，是至少具有在非磁性基板之上按顺序层叠了软磁性基底层、种子层、取向控制层和垂直磁性层的构成的磁记录介质，其特征在于，所述软磁性基底层具有非晶或微晶结构，所述种子层包含第1种子层和在其上以岛状或网状形成的第2种子层，所述第1种子层包含金属氧化物或金属氮化物，所述第2种子层包含金属，所述取向控制层以及所述垂直磁性层中，以所述第2种子层为起点，各自的晶粒构成了在厚度方向连续的柱状晶。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.17 JP 110354/20111.一种磁记录介质，是至少具有在非磁性基板之上按顺序层叠了软磁性基底层、种子层、取向控制层和垂直磁性层的构成的磁记录介质，其特征在于， 所述软磁性基底层具有非晶或微晶结构， 所述种子层包含第I种子层和在其上以岛状或网状形成的第2种子层，所述第I种子层包含金属氧化物或金属氮化物，所述第2种子层包含金属， 所述取向控制层以及所述垂直磁性层中，以所述第2种子层为起点，各自的晶粒构成了在厚度方向连续的柱状晶。2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述第I种子层含有选自CrN、TiN、AIN、ZnO, TiO、MgO 中的任一种。3.根据权利要求2所述的磁记录介质，其特征在于，所述第I种子层含有ZnO或A1N。4.根据权利要求1?3的任一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述第I种子层的膜厚在0.4nm?IOnm的范围内。5.根据权利要求1?3的任一项所述的磁记录介质，其特征在于，所述第2种子层含有选自Cu、Au...
【专利技术属性】
技术研发人员：桥本笃志，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：
国别省市：
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