磁记录介质制造方法、磁记录介质和信息存储装置制造方法及图纸

通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本文中所讨论的实施方式涉及位模式型磁记录介质、位模式型磁记录介质的制造 方法、以及装配有位模式型磁记录介质的信息存储装置。
技术介绍
硬盘驱动装置(HDD)当前是作为能够进行高速数据访问和高速数据传送的大容 量存储装置的主要信息存储装置。在HDD中，已经以高年率增大了表面记录密度，并且现在 仍然需要进一步提高记录密度。为了增大HDD中的记录密度，需要缩小磁道宽度并且缩短记录位的长度。但是，如 果缩小磁道宽度，则在邻接磁道中容易出现所谓的干涉。干涉总体表示诸如记录时在与写 入目的磁道邻接的磁道中重写信息、以及再现时，由于从与再现目的磁道相邻的磁道泄漏 磁场而造成串扰等的现象。这些现象降低了再现信号的S/N比，并且是使差错率劣化的原 因。另一方面，推进缩短记录位的长度产生了使长时间存储记录位的性能下降的热起 伏现象。因此，作为实现短位长度和高磁道密度同时避免这些干涉和热起伏现象的方法， 提出了位模式型磁盘(例如，参见日本专利No. 1888363)。在位模式型磁盘中，预定记录位 的位置。在记录位的预定位置，形成由磁性材料制成的点，并且点之间的间隙由非磁性材料 形成。这样，通过互相分离由磁性材料制成的点，点中的磁性干涉变小，从而避免了干涉和 热起伏现象。专利引用文献专利引用文献1 日本专利No. 1888363
技术实现思路
技术问题这里，作为位模式型磁记录介质的制造方法，将说明在上述日本专利No. 1888363 等中提出的常规制造方法。图1示出了位模式型磁记录介质的常规制造方法。在常规制造方法中，首先，在膜形成步骤(A)中，在基板1上形成磁性膜2。然后，在纳米压印步骤(B)中，在磁性膜2上涂敷由紫外线固化树脂制成的抗蚀剂 3，在抗蚀剂3上放置具有纳米尺寸的孔如的模4，使得抗蚀剂3进入到纳米尺寸的孔如 中，以变为抗蚀剂3的点3a。然后，用紫外线透过模4照射抗蚀剂3，使得抗蚀剂3固化，并 且将点3a压印在磁性膜2上。在固化抗蚀剂3之后，去除模4。其后，在蚀刻步骤(C)中执行蚀刻，该步骤去除磁性膜2，同时留下用抗蚀剂3的点 3a保护的磁性点加。在蚀刻之后，通过化学处理去除抗蚀剂3的点3a，从而在基板1上仅 留下磁性点2a。在填充步骤(D)中，磁性点加之间的间隙填充有非磁性材料，并且在平坦化步骤 (E)中使其表面平坦，从而在步骤(F)中制成位模式型磁记录介质6。根据这样的常规制造方法，在平坦化步骤(E)中，必须执行高度精确的平坦化，以 稳定磁记录介质6上磁头的浮置性能。因此，出现了可能要求很复杂的制造工艺的问题以 及制造成本增加的问题。为了避免这些问题，考虑这样的处理方法(离子掺杂方法)该方法通过用离子掺 杂磁性膜以局部改变磁性状态来形成点的分隔状态。由于通过离子掺杂改变了磁特性，因 此不需要蚀刻、填充和平坦化的复杂制造工艺，从而大大降低了制造成本。但是，离子掺杂方法的简单应用仅在降低磁各向异性中是有效的，而在改变饱和 磁化强度中几乎是无效的。因此，干涉和热起伏现象仍然存在，并且离子掺杂方法尚未投入 实际使用。鉴于上述，根据本专利技术的一个方面的目的是提供简单的制造方法(用该简单的制 造方法，可以制造位模式型磁记录介质)、具有高记录密度并且可以用该简单的制造方法制 造的磁记录介质、以及信息存储装置。技术方案根据本专利技术的一个方面，基本形式的磁记录介质的制造方法包括以下步骤人工格子形成步骤，在基板上交替地层叠多种类型的原子层而形成具有人工格子 结构的磁性膜；以及点间分隔步骤，将离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个部位 以外的其它部位中而降低饱和磁化强度，由此在该磁性点之间形成饱和磁化强度比该磁性 点的饱和磁化强度小的点间分隔带，其中所述磁性点分别以磁的方式记录信息。根据本专利技术的另一个方面，基本形式的磁记录介质包括基板；设置在所述基板上的多个磁性点，各所述磁性点具有人工格子结构，在该人工格 子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息以磁的方式被记录到各所 述磁性点中；以及设置在所述磁性点之间的点间分隔带，所述点间分隔带具有与所述磁性点的人工 格子结构连续的人工格子结构，所述点间分隔带在人工格子结构中注入了离子而具有比所 述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。根据本专利技术的又一个方面，基本形式的信息存储装置包括磁记录介质，所述磁记录介质包括基板；设置在所述基板上的多个磁性点，各所述磁性点具有人工格子结构，在该人工格 子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息以磁的方式被记录到各所 述磁性点中；以及设置在所述磁性点之间的点间分隔带，所述点间分隔带具有与所述磁性点的人工 格子结构连续的人工格子结构，所述点间分隔带在人工格子结构中注入了离子而具有比所 述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度；磁头，其通过接近或接触所述磁记录介质，以磁的方式对所述磁记录介质进行信息的记录和/或再现；以及头位置控制机构，其相对于所述磁记录介质的表面相对地移动所述磁头，将所述 磁头定位在待进行所述磁头的信息记录和/或再现的磁性点上。根据磁记录介质的制造方法、磁记录介质和信息存储装置的多个方面，因为通过 离子注入来形成点间分隔带，从而不需要诸如蚀刻、填充和平坦化的复杂的制造工艺，因此 可以实现简单的制造方法。而且，将离子注入到具有人工格子结构的磁性膜中降低了饱和 磁化强度，足以使得可以实际制造具有高记录密度的位模式型磁记录介质。有利效果如上所述，根据磁记录介质的制造方法、磁记录介质和信息存储装置的基本形式， 可以以简单的制造方法实现具有高记录密度的磁记录介质。附图说明图1示出了位模式型磁记录介质的常规制造方法。图2示出了作为信息存储装置的具体实施方式的硬盘驱动装置(HDD)的内部结 构。图3是示意性地示出了位模式型记录磁盘的结构的立体图。图4示出了与制造方法的基本形式相比，磁记录介质的制造方法的具体实施方 式。图5是第一示例性实施方式的图。图6是示出了第一和第二示例性实施方式中离子注入对矫顽磁力的效果的图。图7是示出了第一和第二示例性实施方式中离子注入对饱和磁化强度的效果的 图。图8是示出了第三和第四示例性实施方式中离子注入的效果的图。图9是示出了第三和第四示例性实施方式和各种类型的修改示例中离子注入的 效果的图。图10是示出了比较例中离子注入对矫顽磁力的效果的图。图11是示出了比较例中离子注入对饱和磁化强度的效果的图。图12示出了通过MFM的磁性点的确认结果。具体实施例方式下面将参照附图说明与在
技术实现思路
部分中说明的磁记录介质的制造方法、磁记录 介质和信息存储装置的基本形式相比的具体实施方式。图2示出了作为信息存储装置的具体实施方式的硬盘驱动装置(HDD)的内部结 构。图2中所示的HDD 100被结合在如个人计算机的上位装置中，以用作上位装置中 的信息存储部。在HDD 100中，多个圆盘状磁盘10以沿图2的深度方向彼此交叠的状态容纳在壳 体H中。磁盘10是所谓的垂直磁记录介质，其中沿与磁盘的正面和背面垂直的方向通过磁 化的磁性图案来记录信息。磁盘10也是所谓的位模式型磁记录介质，其中在正面和背面上的多个位置预先形成用于在其中记录位信息的点。磁盘10绕盘轴11旋转，并且与其基本 形式已经在
技术实现思路
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【技术保护点】
１．一种磁记录介质的制造方法，该制造方法包括以下步骤：人工格子形成步骤，在基板上交替地层叠多种类型的原子层而形成具有人工格子结构的磁性膜；以及点间分隔步骤，将离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个部位以外的其它部位中而降低饱和磁化强度，由此在该磁性点之间形成饱和磁化强度比该磁性点的饱和磁化强度小的点间分隔带，其中所述磁性点分别以磁的方式记录信息。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤贤治，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：JP