本发明专利技术的磁记录媒体制造装置，使具有磁记录层的基板表面不会由于离子铣削而消失，且不受大气影响地制造磁记录媒体；该磁记录媒体制造装置（１０），在向具有磁记录层的基板（７１）注入离子束后，将该离子束注入后的具有磁记录层的基板（８０）的表面通过灰化而除去，从而制造磁记录媒体（７０），其设有：向涂敷有抗蚀膜（７６）或金属掩膜的具有磁记录层的基板（７１）注入离子束的离子注入室（２０）、和通过等离子体将涂敷有抗蚀膜（７６）或金属掩膜的具有磁记录层的基板（７１）的抗蚀膜（７６）或金属掩膜灰化并除去的灰化室（３０），离子注入室（２０）与灰化室（３０）以真空状态而被连接，同时，设有将离子束注入后的基板（８０）从离子注入室（２０）输送至灰化室（３０）的基板输送机（６０）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及的是用于制造高密度的磁记录媒体的磁记录媒体制造装置。
技术介绍
在现有的磁记录媒体的制造方法中，首先，按照形成于磁性层上的抗蚀图形 (Resist Pattern)，使用等离子体或离子束对该磁性层进行蚀刻，并向该被蚀刻的磁性层 的槽中填充非磁性材料。接着，在通过离子束蚀刻或研磨等的平坦化处理使表面平坦化之 后，在该表面上形成保护膜(例如参照专利文献1)。但是，使用专利文献1所公开的磁记录媒体的制造方法的话，在将信息记录区域 以外的部分进行蚀刻加工并除去之后，需要填充非磁性材料并进行平坦化加工，从而制造 工序变得复杂。其结果是，产生制造成本也增加这样的问题。作为用于解决这些问题的方法，提出了将离子局部地注入磁性膜而使磁化状态发 生变化，然后对磁性膜整体进行热处理的方法(例如参照专利文献2)。专利文献1 日本公开公报、特开2003-16621号(图3)专利文献2 日本公开公报、特开2005-2^817号(图1)
技术实现思路
但是，在专利文献2所公开的磁记录媒体的制造方法中，为了改变磁性膜中的原 子的构成比率，而需要注入IXlO"5离子/cm2以上且IXlO19离子/cm2以下的高浓度的 离子。因此，存在抗蚀剂和保护膜消失的危险性，此外还存在由于离子束铣削(Ion Beam Milling)而使磁性膜消失的危险性。另外，在磁记录媒体的制造过程中，基板在向各工序移 动时被搬出至外部。因此，存在基板与空气接触而导致质量劣化这样的问题。本专利技术是鉴于这样的问题而形成的，其目的在于提供一种能够使抗蚀剂、保护膜 或磁性膜不会由于离子束铣削而消失、且不受空气的影响地制造磁记录媒体的磁记录媒体 制造装置。为了解决上述课题，本专利技术的磁记录媒体制造装置，在向具有磁记录层的基板 注入离子束之后，将该离子束注入后的具有磁记录层的基板的表面的抗蚀膜或金属掩膜 (Metal Mask)通过灰化而除去，从而制造磁记录媒体；该装置设有离子注入室和灰化室，其 中，离子注入室从生成离子的离子源引出所希望的离子种类并加速为所希望的能量后，将 离子束注入涂敷有抗蚀膜或金属掩膜的具有磁记录层的基板，灰化室设有使等离子体发生 并扩散的等离子体发生装置，并利用通过等离子体发生装置而被扩散的等离子体，将涂敷 有抗蚀膜或金属掩膜的具有磁记录层的基板上的至少抗蚀膜或金属掩膜灰化并除去，离子 注入室与灰化室通过真空阀以真空状态而被连接，同时，设有将离子束注入后的基板从离 子注入室输送至灰化室的基板输送机。在这样构成的情况下，由于离子注入室与灰化室通过真空阀以真空状态而被连 接，因此，在离子注入和灰化的工序之间，能够使具有磁记录层的基板不与外界空气接触而进行连续处理。因此，能够防止受空气的不良影响而磁记录媒体质量劣化的情况。另外，在上述专利技术的基础上，进而以设有对平行板电极或电感耦合型天线外加高 频功率而使等离子体发生，从而在灰化后的具有磁记录层的基板的表面上形成薄膜的CVD 室，且灰化室与CVD室通过真空阀以真空状态而被连接，同时，通过基板输送机将灰化后的 具有磁记录层的基板从灰化室输送至CVD室为佳。在这样构成的情况下，由于能够在基板的表面上形成保护膜，因此，能够防止由磁 记录媒体的伤痕引起的损伤，同时，能够防止受空气的不良影响而磁记录媒体质量劣化的 情况。进而，在上述专利技术的基础上，进而以基板输送机设有用于保持基板的基板支架和 驱动基板支架的驱动机构为佳。在这样构成的情况下，能够顺利地将具有磁记录层的基板向下一个处理室进行输送。采用本专利技术的话，能够使具有磁记录层的基板表面不会由于离子铣削而消失、且 不受空气的影响地制造磁记录媒体，进而，与专利文献1所记载的制造方法相比制造工序 简化，而能够实现低成本化。附图说明图1是用于说明本专利技术的一实施形态涉及的磁记录媒体制造装置的概略构成的 侧视图。图2是以图1中的A-A线切断后的磁记录媒体制造装置的剖面图。图3是图1中的基板输送机的构成的示意图，㈧是其侧视图，⑶是以㈧中的 B-B线切断后的剖面图。图4是沿图1中的C-C线切断后的离子注入室的剖面图。图5是沿图1中的D-D线切断后的灰化室的剖面图。图6是沿图1中的E-E线切断后的CVD室的剖面图。图7是使用本专利技术的一实施形态涉及的磁记录媒体制造装置制造磁记录媒体的 工序的说明图，(A)是用于说明离子注入的剖面图，(B)是离子注入后的带抗蚀膜的基板的 剖面图，(C)是灰化处理后的具有磁记录层的基板的剖面图，(D)是磁记录媒体的剖面图。具体实施例方式以下，参照附图对本专利技术的一实施形态涉及的磁记录媒体制造装置10进行说明。 另外，在以下的说明中，分别将图1 图6所示的箭头&方向规定为前、箭头&方向规定为 后，成为与该\方向和\方向在水平方向上垂直相交的方向的箭头Y1方向规定为左、箭头 t方向规定为右，与该XY平面垂直相交的方向的箭头4方向规定为上、箭头4方向规定为 下。图1是用于说明本专利技术的一实施形态涉及的磁记录媒体制造装置10的概略构成 的侧视图。图2是以图1中的A-A线切断后的磁记录媒体制造装置10的剖面图。如图1和图2所示，磁记录媒体制造装置10，是将离子注入室20、灰化室(Ashing Chamber) 30以及CVD (Chemical Vapor D印osition、化学气相淀积)室40(以下，在统称离子注入室20、灰化室30以及CVD室40时，仅称为处理室20、30、40。)连接成一排，并通过 输送通道50将它们的外侧连接的无端(Unterminated)的串联式(in-line)装置。另外， 磁记录媒体制造装置10，设有用于输送具有磁记录层的基板(以下，将各处理室20、30、40 中处理前后的基板统称为基板52)的基板输送机60，并构成为在起点部M被导入的基板 52在处理室20、30、40中被实施各处理，且再次被输送至起点部M。在离子注入室20的后方和CVD室40的前方设有预真空室(Load-Lock) 56。预真 空室56，在基板输送机60将基板52从大气环境的输送通道50导入真空环境的各处理室 20,30,40之前，进行预抽真空(Pre-Evacuation)，以使空气不会流入各处理室20、30、40。 另外，离子注入室20、灰化室30、CVD室40、后述的前方纵道50a、后述的下方横道50d以及 预真空室56，分别通过连接部58而被气密地连接。虽然在图1中未图示，但是，在连接各处 理室20、30、40以及预真空室56的连接部58中存在成为真空阀的隔离阀。输送通道50，具有前方纵道50a、后方纵道50b、上方横道50c、以及下方横道50d， 且如一方的预真空室56与另一方的预真空室56呈无端接那样地被连接成环状(参照图 1)。前方纵道50a、后方纵道50b、上方横道50c以及下方横道50d，均呈剖面为四角形的筒 状。前方纵道50a竖立设置于被配置于CVD室40的前方的预真空室56的更前方。前方纵 道50a的下方部通过连接部58与预真空室56相连接。后方纵道50b，以与前方纵道50a相 对那样地竖立设置于离子注入室20的前方。起点部M例如设置于后方纵道50b的下方部。 上方横道50c将前方纵道50a与后方纵道50b的上部本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种磁记录媒体制造装置，在向具有磁记录层的基板注入离子束之后，将该离子束注入后的具有磁记录层的基板的表面的抗蚀膜或金属掩膜通过灰化而除去，从而制造磁记录媒体，其特征在于，设有离子注入室和灰化室；所述离子注入室，从生成离子的离子源中引出所希望的离子种类并加速为所希望的能量后，将离子束注入涂敷有抗蚀膜或金属掩膜的具有磁记录层的基板；所述灰化室，设有使等离子体发生并扩散的等离子体发生装置，并利用通过所述等离子体发生装置而被扩散的等离子体，将所述涂敷有抗蚀膜或金属掩膜的具有磁记录层的基板上的、至少所述抗蚀膜或金属掩膜灰化并除去；所述离子注入室与所述灰化室通过真空阀以真空状态而被连接，同时，设有将所述离子束注入后的基板从所述离子注入室输送至所述灰化室的基板输送机。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：西桥勉，
申请(专利权)人：爱发科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP
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