本发明专利技术的目的在于提供一种芯片尺寸的封装器件装置，其使用带有贯穿电极的玻璃基板，实现低成本、小型化、薄型化及轻量化，进一步可靠性较高，本发明专利技术所涉及的封装器件装置的特征在于，对于容纳有具有电极组的器件元件的封装件的基底构件，使用将多个贯穿电极（１１ｂ）配置在预定位置的玻璃基板（１１），将所述电极组和所述贯穿电极（１１ｂ）利用其中存在的绕开密封材料（１４）而配置的接触介质，向外部电路引出。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及封装器件装置及封装件用基底构件，特别是涉及使用带有贯穿电极的 玻璃基板的封装器件装置、以及使用带有微细通路的贯穿电极的玻璃基板的封装件用基底 构件。
技术介绍
作为小型、轻量及高性能的器件，广泛采用MEMS器件、CCD、CM0S元件、液晶等各种 器件，但在精巧的电极材料或构造中，易于受外部环境影响，为了避免此现象，使用气密封 装件。另外，近年来在移动电话的照相机模块内采用同样的气密封装的图像传感器，除了小 型化、薄型化及轻量化，还可以应对低价格化的要求。例如，使用CCD或CMOS元件的图像 传感器，如日本专利特开平10-107240号公报(专利文献1)或日本专利特开2006-140384 号公报(专利文献幻所示，在陶瓷封装件内收纳有传感器后，用引线键合进行电连接，使用 玻璃等透明的盖子来密封。另外，如日本专利特开2007-312012号公报(专利文献3)或美 国专利第6777767号说明书(专利文献4)所示，已知一种实现将整个图像传感器小型化的 CSP (Chip Size I^ckaging，芯片尺寸封装)的方法。在这些情况下，设有从形成有CCD或 CMOS元件的半导体硅晶片的背面贯穿至表面的孔或槽，将表面侧和背面侧进行电连接，利 用配置在半导体晶片的背面的球凸点来与外部电路进行连接。专利文献1 日本专利特开平10-107240号公报专利文献2 日本专利特开2006-140384号公报专利文献3 日本专利特开2007-312012号公报专利文献4 美国专利第6777767号说明书
技术实现思路
本专利技术要解决的问题但是，在日本专利特开平10-107M0号公报(专利文献1)及日本专利特开 2006-140384号公报(专利文献幻的情况下，存在的缺点是整个图像传感器的尺寸、平面 面积、高度与内部的传感器元件相比都格外大。另外，在日本专利特开2007-312012号公报 (专利文献幻或美国专利第6777767号说明书(专利文献4)的情况下，尽管可以实现小型 化、薄型化及轻量化，但需要用蚀刻等对半导体制作孔或者槽、在其表面实施绝缘处理、再 在孔或者槽的内部制作金属制成的布线层的工序，成本增大。因此，期望能开发出作为改进 的气密封装用构件的封装件构成构件。因此，本专利技术的第一目的在于提供一种新颖且改进的器件装置，其可以实现使用 半导体及MEMS器件或液晶面板的器件装置的小型化、薄型化、轻量化以及低成本化。本专利技术的其他目的在于提供各种器件装置，其能够实现将具有贯穿电极的玻璃基 板用于基底构件的改进封装件，并且通过与在该封装件内收纳的具有许多电极的各种器件 元件容易进行电连接，可以实现低价格化。特别是，其目的在于作为封装件提供新颖且改进的封装用基底构件及使用其来封装器件元件的各种器件装置，其中，该封装件使用玻璃对 金属密封(以下称为表示Glass to Metal Seal的首字母的GTMS)构造的经过高温加热工 艺而密封的带有贯穿电极的玻璃基板。用于解决问题的方法在本专利技术中，将1个或多个具有许多电极或者电极组的各种器件元件容纳在气密 封装件中，对于封装件用基底构件使用在预定范围内配置有多个贯穿电极的玻璃基板。而 且，提供一种封装器件装置，其特征在于，将该玻璃基板的贯穿电极与器件元件的电极组连 接，以不接触封装用密封材料的构造向外部电路进行引线导出。此处，具有上述贯穿电极的 玻璃基板与器件元件的导出电极对应形成有贯穿电极，其间存在接触介质向外部电路进行 引线导出。另外，对于上述器件元件，将半导体或MEMS器件、或者具有CCD或CMOS的图像 传感器等进行气密封装，构成芯片尺寸的器件装置。并且，作为具有上述许多电极的器件元 件，有在对置电极间存在液晶的液晶面板，还有使用至少一方的电极配置贯穿电极的玻璃 基板、并在其内表面形成有许多透明电极组的液晶型显示器器件装置。配置有贯穿电极的 玻璃基板优选的是GTMS构造的微细通路型的玻璃基板，据此，提供在低价格化方面有利的 各种器件装置。另外，提供一种图像传感器，该图像传感器在配置于CXD或者CMOS元件的 光接收面侧的保护用玻璃基板的周边部设有贯穿电极，将该贯穿电极与设在CCD或者CMOS 元件光接收面的周边部的电极取出部进行连接，并且将形成有CCD或者CMOS元件的半导体 晶片与该保护用玻璃基板贴合并密封，实现低成本、小型化、薄型化及轻量化，可靠性进一 步提尚。根据本专利技术的其他观点，对于配置有贯穿电极的玻璃基板，提出了使用通路直径 φ为150 μ m以下、且通路中心间的尺寸即通路间距为300 μ m以下的经过高温加热工艺的 GTMS构造的微细通路玻璃基板作为封装件的基底构件，提供使用该基底构件的各种封装器 件装置。换言之，其特征在于，为了使贯穿电极的通路中心间的尺寸为300 μ m以下，通路直 径φ最低限为250 μ m,优选的是通路直径φ限定为比其更小的150 μ m以下，据此，配置有上 述贯穿电极的玻璃基板确保有利用氦吹出法的气密性测定值小于IXlO-8Pa · m3/sec的封 装件内的气密性。专利技术的效果根据本专利技术，由于图像传感器的光接收面和向外部基板的安装部为相同方向， 因此可以以高位置精度安装含有滤光片或透镜等光学的外加零构件的外部基板，其结果 是，力图提高光学特性。另外，不仅是将C⑶或者CMOS元件，在将DSP(Digital Signal ft~OCeSSOr，数字信号处理器)等周边IC与图像传感器收纳在同一封装件内时，也可以达到显著小型化。根据本专利技术，通过将带有贯穿电极的玻璃基板用作为封装件的基底构件，可以以 低成本提供小型化、薄型化、轻量化、可靠性较高的气密封装件的光应用器件。例如，由于以 往的器件元件利用切割从硅晶片分离出个别元件后，容纳在各个陶瓷封装件并进行密封， 因此封装成本提高，制造成本增大。另外，还存在引线键合导致的电连接上的问题。这些成 本的问题通过将带有多个贯穿电极的玻璃基板用作为封装用基底构件从而得到解决。另一方面，本专利技术探讨了关于各种带有贯穿电极的玻璃基板的制法的各个特长， 发现了采用利用GTMS法的微细通路的玻璃基板。该玻璃基板通过高温工艺，实现通路间距的微细化和气密性的提高，据此可以实现小型化和高可靠性。 附图说明图1是表示本专利技术的第一实施例的图像传感器的结构的剖视图。图2是表示本专利技术的第一实施例的图像传感器的其他结构的剖视图。图3是表示本专利技术的第二实施例的照相机模块的结构的剖视图。图4是表示本专利技术的第三实施例的图像传感器模块的结构的剖视图。图5(a)及(b)是用于说明本专利技术的第一实施例的图像传感器的制造过程的剖视 图。图6(a)、(b)、(c)、(d)及(e)是用于说明本专利技术的第三实施例的图像传感器模块 的制造过程的剖视图。标号说明10,20,50图像传感器、30照相机模块、40、60图像传感器模块、11、21、41、51、61玻 璃基板，lla、21a、41a、51a、61a 玻璃、llb、21b、41b、41c、51b、61b、61c 贯穿电极，12、22、42、 52、62、12a 半导体基板，12b、22b、42b、52b、62b 光接收部，13、23、43、53、63 外部电极，14、 24、44、54本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种封装器件装置，其特征在于， 对于容纳有具有电极组的器件元件的封装件的基底构件，使用将多个贯穿电极（１１ｂ，２１ｂ，４１ｂ，４１ｃ，５１ｂ，６１ｂ，６１ｃ）配置在预定位置的玻璃基板（１１，２１，４１，５１，６１）， 将所述电极组和所述贯穿电极（１１ｂ，２１ｂ，４１ｂ，４１ｃ，５１ｂ，６１ｂ，６１ｃ）利用其中存在的绕开密封材料（１４，２４，４４，５４，６４）而配置的接触介质，向外部电路引出。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP2008-1785542008年7月9日1.一种封装器件装置，其特征在于，对于容纳有具有电极组的器件元件的封装件的基底构件，使用将多个贯穿电极(11b， 21b, 41b, 41c, 51b, 61b, 61c)配置在预定位置的玻璃基板(11，21，41，51，61)，将所述电极组和所述贯穿电极(lib,21b,41b,41c,51b,61b,61c)利用其中存在的绕 开密封材料(14，M，44，M，64)而配置的接触介质，向外部电路引出。2.如权利要求1所述的封装器件装置，其特征在于，所述器件元件是CCD的图像传感器、CMOS的图像传感器、半导体器件、MEMS器件或者液 晶面板。3.如权利要求1所述的封装器件装置，其特征在于，所述接触介质是凸点电极、引线接合或者球栅阵列。4.如权利要求1所述的封装器件装置，其特征在于，所述贯穿电极(11b，21b，41b，41c，51b，...
【专利技术属性】
技术研发人员：镰田宏，
申请(专利权)人：恩益禧肖特电子零件有限公司，
类型：发明
国别省市：JP
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