近接感测封装结构制造技术

技术编号:6433513 阅读:246 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供一种近接感测封装结构,包含一封装体,其具有互相独立的一第一、第二内部空间,与一第一、第二开孔,第一、第二开孔分别连通第一、第二内部空间与外部环境。于第一内部空间中,设有一发光二极管晶片,其对应第一开孔设置,以位于第一开孔下方,使发光二极管晶片透过第一开孔发射光线。另于第二内部空间中,设有一光源感测晶片,其对应第二开孔设置,以位于第二开孔上方或下方,使光源感测晶片透过第二开孔接收上述光线。本实用新型专利技术利用不互相干扰的两独立空间,达到两晶片互不受影响的效果。(*该技术在2020年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种封装结构,特别涉及一种近接感测封装结构
技术介绍
感测与控制是非常主要的基础电子,为了执行感测,需要一个信号,此信号通 常以光的形态表现,然后将此光的信号送达到被测物体,再反射回到感测器,则此含有 资讯的信号就会被读取出来,以作进一步的应用。由于元件物理特性的差异,以及为了 达到元件性能最佳化,如图1所示,光源晶片10及感应晶片12通常被分开制造以及封 装,并利用印刷电路板14将其电连接起来,藉此可用于探测被测物体16。举例来说,以往用于距离感测的感测器为独立的两颗晶片,其一为发光二极管 (LED)晶片,另一为接收光源感测晶片。由于两颗晶片必须独立制作再加以整合,因 此所需制作成本较高、所需的制造流程亦较繁多,且组装程序繁琐复杂,此外,完成后 的封装结构体积也较大;另一者为此种结构只有一颗感测晶片,所能侦测的距离相当有 限,无法普遍适用于一般消费型电子产品,造成消费者困扰。有鉴于此,本技术遂针对上述公知技术的缺失,提出一种近接感测封装结 构,以有效克服上述的该等问题。
技术实现思路
本技术的主要目的,在于提供一种近接感测封装结构,其具有两个独立的 内部空间,以分别安装发光二极管晶片与光源感测晶片,此封装结构不但具有小体积, 更可避免感测晶片直接受到发射光源干扰,以提升产品效能。为达上述目的,本技术提供一种近接感测封装结构,包含一封装体、一发 光二极管晶片与一光源感测晶片,封装体具有互相独立的一第一、第二内部空间,与一 第一、第二开孔,第一、第二开孔分别连通第一、第二内部空间与外部环境。发光二极 管晶片设于第一内部空间中,并对应第一开孔设置,以位于第一开孔下方,使发光二极 管晶片通过第一开孔发射光线。光源感测晶片设于第二内部空间中,并对应第二开孔设 置,以位于第二开孔上方或下方,使光源感测晶片透过第二开孔接收上述光线。兹为使贵审查员对本技术的结构特征及所达成的功效更有进一步的了解与 认识,谨佐以较佳的实施例图及配合详细的说明,说明如后附图说明图1为现有技术的封装结构剖视图;图2为本技术的第一实施例结构剖视图;图3为本技术的第一实施例结构俯视图;图4为本技术的第二实施例结构剖视图;图5为本技术的第二实施例结构俯视图。附图标记说明10-光源晶片;12-感应晶片;14-印刷电路板;16-被测物 体;18-封装体;20-发光二极管晶片;22-光源感测晶片;24-第一内部空间;26-第 二内部空间;28-第一开孔;30-第二开孔;32-聚光反射层;34-透光片;36-透明胶 体;38-输入输出接脚;40-基座;42-挡墙;44-盖板;46-隔板。具体实施方式以下介绍本技术的第一实施例,并请参阅图2与图3。本技术主要包含 一封装体18、一发光二极管晶片20与一光源感测晶片22。封装体18具有互相独立的一 第一、第二内部空间24、26,与一第一、第二开孔28、30,其中第一、第二开孔28、30 分别连通第一、第二内部空间24、26与外部环境,且第二开孔30作为收光聚焦孔,只接 受特定光波、特定反射角的光线,以避免光源感测晶片22受到杂讯干扰。在第一内部空 间24的内部表面更设有一极光滑的聚光反射层32,且发光二极管晶片20设于第一内部空 间24中,并对应第一开孔28设置,以位于第一开孔28下方,聚光反射层32可聚集发光 二极管20发射的散光,并加以聚焦为一光线,以从第一开孔28射至一待测物;光源感测 晶片22设于第二内部空间26中,并对应第二开孔30设置,以位于第二开孔30下方,使 光源感测晶片22透过第二开孔30接收上述经待测物反射的光线。另为了保护晶片,于第一、第二开孔28、30上分别设有一透光片34,以遮蔽第 一、第二开孔28、30,此外,亦分别于第一、第二内部空间24、26中,充填一材质为塑 胶的透明胶体36,以分别包覆发光二极管晶片20与光源感测晶片22。封装体18因应设 计需求,于底面四周设有多个输入输出接脚(I/O pin) 38。若有因应设计需要,亦可省略透光片34及透明胶体36的元件设置。本技术将发光二极管晶片20与光源感测晶片22安装在同一封装体18,以 降低成本并缩小封装体积。封装体18更包含一基座40与一挡墙42,基座40可为金属 导线架或基板,挡墙的材质可为塑胶。基座40底部设有输入输出接脚38,挡墙42垂直 连结基座40的四周边,以与基座40形成一凹槽,在制作方式上,可将挡墙42与基座40 同时以射出成型或堆迭黏合的方式形成。在挡墙42上设有一盖板44,以封闭凹槽,且 此盖板44具有第一、第二开孔28、30,并与基座40、挡墙42形成一容置空间。另于此 容置空间中,设有一隔板46,使第一、第二开孔28、30位于隔板46的相异两侧,隔板 46垂直连结基座40与盖板44,以区隔容置空间为第一、第二内部空间24、26,聚光反射 层32设于第一内部空间24的基座40、挡墙42与隔板46上,又发光二极管晶片20位于 第一内部空间24的基座40上,并位于第一开孔28下方,光源感测晶片22位于第二内部 空间26的基座40上,并位于第二开孔30下方。由于第一、第二内部空间24、26是独 立的,因此可避免光源感测晶片22直接受到发光二极管晶片20干扰,以提升产品效能。 且两个透明胶体36分别充填于第一、第二内部空间24、26中,以分别包覆发光二极管晶 片20与光源感测晶片22。发光二极管晶片20发出的散光会先射至聚光反射层上,聚光反射层会将上述散 光反射,并经过透明胶体36聚焦至第一开孔28,以通过第一开孔28及透光片34射至待 测物。之后待测物再加以反射,以通过透光片34、第二开孔30及透明胶体36射至光源 感测晶片22上,用以接收。第一实施例为光源反射及感测路径在同一侧,另外亦可在相反侧,如图4及图5 介绍的第二实施例所示。第二实施例包含一封装体18、一发光二极管晶片20与一光源感测晶片22。封 装体18具有互相独立的一第一、第二内部空间24、26,与一第一、第二开孔28、30,其 中第一、第二开孔28、30分别连通第一、第二内部空间24、26与外部环境,且第二开孔 30只接受特定光波、特定反射角的光线,以避免光源感测晶片22受到杂讯干扰。在第一 内部空间24的内部表面更设有一极光滑的聚光反射层32,且发光二极管晶片20设于第 一内部空间24中,并对应第一开孔28设置,以位于第一开孔28下方,聚光反射层32可 聚集发光二极管20发射的散光,并加以聚焦为一光线,以从第一开孔28射至一待测物; 光源感测晶片22设于第二内部空间26中,并对应第二开孔30设置,以位于第二开孔30 上方,使光源感测晶片22通过第二开孔30接收上述经待测物反射的光线。为了保护晶片,于第一、第二开孔28、30上分别设有一透光片34,以遮蔽第 一、第二开孔28、30,此外,亦分别于第一、第二内部空间24、26中,充填一材质为塑 胶的透明胶体36,以分别包覆发光二极管晶片20与光源感测晶片22。封装体18因应设 计需求,于底面四周设有多个输入输出接脚(I/O pin) 38。同样地,若有因应设计需要,亦可省略透光片34及透明胶体36的元件设置。为了降低成本并缩本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种近接感测封装结构,其特征在于,包含:  一封装体,其具有互相独立的第一内部空间和第二内部空间,与第一开孔和第二开孔,该第一开孔和第二开孔分别连通该第一内部空间和第二内部空间与外部环境;  一发光二极管晶片,其设于该第一内部空间中,并对应该第一开孔设置,以通过该第一开孔发射光线;以及  一光源感测晶片,其设于该第二内部空间中,并对应该第二开孔设置,以通过该第二开孔接收该光线。

【技术特征摘要】
1.一种近接感测封装结构,其特征在于,包含一封装体,其具有互相独立的第一内部空间和第二内部空间,与第一开孔和第二开 孔,该第一开孔和第二开孔分别连通该第一内部空间和第二内部空间与外部环境;一发光二极管晶片,其设于该第一内部空间中,并对应该第一开孔设置,以通过该 第一开孔发射光线;以及一光源感测晶片,其设于该第二内部空间中,并对应该第二开孔设置,以通过该第 二开孔接收该光线。2.如权利要求1所述的近接感测封装结构,其特征在于,该第一内部空间的内部表面 更设有一聚光反射层,以聚集该发光二极管发射的散光,并加以聚焦为该光线,以从该 第一开孔射出。3.如权利要求1所述的近接感测封装结构,其特征在于,更包含两个透明胶体,其分 别充填于该第一内部空间和第二内部空间中,以分别包覆该发光二极管晶片与该光源感 测晶片。4.如权利要求3所述的近接感测封装结构,其特征在于,该两个透明胶体的材质为塑胶。5.如权利要求1所述的近接感测封装结构,其特征在于,该封装体的底面四周更设有 多个输入输出接脚。6.如权利要求1所述的近接感测封装结构,其特征在于,该第一开孔和第二开孔上分 别设有一透光片,以遮蔽该第一开孔和第二开孔。7.如权利要求1所述的近接感测封装结构,其特征在于,该封装体更包含一基座;一挡墙,其垂直连结该基座的四周边,以与...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶灿鍊吴万华庞思全吴吉昌洪明鸿
申请(专利权)人:矽格股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:71

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