半导体晶片接合体、半导体晶片接合体的制造方法和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体晶片接合体，其特征在于，包含：半导体晶片；设置在所述半导体晶片的功能面侧的透明基板；设置在所述半导体晶片与所述透明基板之间所设置的隔片；以及沿着所述半导体晶片的外周连续设置的、用于接合所述半导体晶片与所述透明基板的接合部。优选所述接合部的最小宽度为５０μｍ以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体晶片接合体、半导体晶片接合体的制造方法以及半导体装置。
技术介绍
目前已知有一种半导体装置，是以CMOS传感器、CXD传感器等为代表的半导体装置，其包含具有受光部的半导体基板；设置在半导体基板上且以包围受光部的方式形成的隔片；以及通过该隔片接合于半导体基板上的透明基板。上述半导体装置，通常采用包括下列工序的制造方法来制造在设置有多个受光部的半导体晶片上，粘贴电子射线固化性的粘接膜的工序；通过掩模对该粘接膜有选择性地照射电子射线，对粘接膜进行曝光的工序；对已曝光的粘接膜进行显影以形成隔片的工序；将透明基板接合于所形成的隔片上的工序；以及切割(单片化)所得到的半导体晶片与透明基板的接合体(半导体晶片接合体)的工序(例如，参照专利文献1)。并且，通常在切割半导体晶片接合体之前，在半导体晶片的背面施行布线的形成或焊锡凸块的形成等加工(背面加工工序)。但是，由于隔片的宽度小，所以在按以往的方式制作的半导体晶片接合体中，因在这种背面加工时所用的清洗液或蚀刻液等，导致半导体晶片接合体的边缘部附近的隔片发生剥离，存在清洗液或蚀刻液等浸入半导体晶片接合体的内部的问题。这种液体浸入的部分会成为不合格品，从而减少了由一个半导体晶片接合体所得到的半导体装置的数量，存在半导体装置的生产效率降低的问题。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2004-312666号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于，提供一种在半导体晶片的背面加工时可防止清洗液或蚀刻液等向内部浸入、且半导体装置的生产效率优良的半导体晶片接合体，提供一种可容易制造这种半导体晶片接合体的制造方法。另外，提供一种可靠性优良的半导体装置。解决课题的方法上述目的可通过下列(1) (10)所述的本专利技术技术方案来实现。(1) 一种半导体晶片接合体，其特征在于，包含半导体晶片；设置在前述半导体晶片的功能面侧的透明基板；设置在前述半导体晶片与前述透明基板之间的隔片；以及沿着前述半导体晶片的外周连续设置的、用于接合前述半导体晶片与前述透明基板的接合部。(2)如上述⑴所述的半导体晶片接合体，其中，前述接合部的最小宽度为50μπι 以上。(3)如上述⑴或者⑵所述的半导体晶片接合体，其中，前述接合部在蚀刻液浸渍前后的剪切强度比为40 %以上。(4)如上述(1)至(3)中任一项所述的半导体晶片接合体，其中，前述隔片和前述接合部被设置成一体。(5) 一种半导体晶片接合体的制造方法，其为制造上述(1)至(4)中任一项所述的半导体晶片接合体的方法，其特征在于，包括感光性粘接层形成工序，在前述半导体晶片的功能面上，形成具有与前述半导体晶片相对应的形状的、具有粘接性的感光性粘接层；曝光工序，使用掩模有选择性地对前述感光性粘接层中应该成为前述隔片和前述接合部的部位进行曝光；显影工序，对曝光后的前述感光性粘接层进行显影，在前述半导体晶片上形成前述隔片和前述接合部；以及接合工序，将前述透明基板接合于前述隔片和前述接合部的与前述半导体晶片侧相反侧的面上。(6) 一种半导体晶片接合体的制造方法，其为制造上述(1)至(4)中任一项所述的半导体晶片接合体的方法，其特征在于，包括感光性粘接层形成工序，在前述透明基板上形成具有与前述透明基板相对应的形状的、具有粘接性的感光性粘接层；曝光工序，使用掩模有选择性地对前述感光性粘接层中应该成为前述隔片和前述接合部的部位进行曝光；显影工序，对曝光后的前述感光性粘接层显影，在前述透明基板上形成前述隔片和前述接合部；以及接合工序，将前述半导体晶片接合于前述隔片和前述接合部的与前述透明基板侧相反侧的面上。(7)如上述(5)或(6)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述感光性粘接层由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成。(8)如上述(7)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述碱溶性树脂为 (甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。(9)如上述(7)或(8)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述热固性树脂为环氧树脂。(10)如上述(7)至(9)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，作为前述材料还含有光聚合性树脂。(11) 一种半导体装置，其特征在于，将上述⑴至⑷中任一项所述的半导体晶片接合体在对应于前述隔片的位置进行切割、单片化来获得。附图说明图1是表示本专利技术的半导体装置的一个实例的剖面图。图2是表示本专利技术的半导体晶片接合体的一个实例的纵向剖面图。图3是表示本专利技术的半导体晶片接合体的一个实例的平面图。图4是表示本专利技术的半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法的一个实例的工序图。图5是表示本专利技术的半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法的一个实例的工序图。具体实施例方式下面，详细说明本专利技术。<半导体装置(图像传感器)>首先，在说明本专利技术的半导体晶片接合体之前，说明通过本专利技术的半导体晶片接合体所制造的半导体装置。图1是表示本专利技术的半导体装置的一个实例的纵向剖面图。此外，在下面的说明中，将图1中的上侧称为“上”、下侧称为“下”。如图1所示，半导体装置(受光装置)100，包含基底基板101、以与基底基板101 对置的方式配置的透明基板102、在基底基板101上形成的受光部103、在受光部103的边缘部所形成的隔片104、以及在基底基板101的下面形成的焊锡凸块106。基底基板101是半导体基板，在该半导体基板上设置有未图示的电路(后述半导体晶片所具有的单独电路)。在基底基板101上，设置有几乎横贯其整个面的受光部103。受光部103，例如，为从基底基板101侧依次层叠受光元件和微透镜阵列的构成。透明基板102是以与基底基板101对置的方式被配置，其平面尺寸与基底基板101 的平面尺寸大致相同。透明基板102，例如由丙烯酸树脂基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂 (PET)基板、玻璃基板等来构成。受光部103所具有的微透镜阵列和透明基板102在它们的边缘部直接与隔片104 粘接，隔片104是用于粘接基底基板101和透明基板102。并且，该隔片104在受光部103 (微透镜阵列)与透明基板102之间形成空隙部105。该隔片104，以包围该受光部103的中心部的方式配置在受光部103的边缘部，因此，在受光部103中，由隔片104所包围的部分作为实质上的受光部而发挥功能。此外，作为受光部103所具有的受光元件，例如，可以举出(XD(Charge Coupled Device，电荷華禹合器件)、CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)等，在该受光元件中，由受光部103所接受的光转换为电信号。焊锡凸块106具有导电性，在基底基板101的下面，与设置于该基底基板101的布线进行电连接。由此，在受光部103由光转换成的电信号，传递至焊锡凸块106。<半导体晶片接合体>接着，说明半导体晶片接合体。图2是表示本专利技术的半导体晶片接合体的一个实例的纵向剖面图，图3是表示本专利技术的半导体晶片接合体的一个实例的平面图。此外，在图2中，将下方向称为“下侧”或“下方”、将上方向称为“上侧”或“上方”。如图2所示，半导体晶片接合体1000具有半导体晶片101'、本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体晶片接合体，其特征在于，包含：半导体晶片；设置在前述半导体晶片的功能面侧的透明基板；设置在前述半导体晶片与前述透明基板之间的隔片；以及沿着前述半导体晶片的外周连续设置的、用于接合前述半导体晶片与前述透明基板的接合部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：出岛裕久，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：JP