本发明专利技术的半导体晶片接合体的制造方法，其特征在于，包括：准备具有支承基材和隔片形成层的隔片形成用膜的工序；将隔片形成用膜的隔片形成层粘贴于半导体晶片上的工序；在隔片形成用膜的支承基材侧设置掩模，并使用掩模以使曝光用光透过支承基材的方式，有选择性地对隔片形成层进行曝光的工序；去除支承基材的工序；对隔片形成层进行显影，在半导体晶片上形成隔片的工序；以及将透明基板接合于隔片的与半导体晶片相反的面上的工序。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体以及半导体装置。
技术介绍
目前已知有一种半导体装置，是以CMOS传感器、CXD传感器等为代表的半导体装置，其包含具有受光部的半导体基板；设置在半导体基板上且以包围受光部的方式形成的隔片；以及通过该隔片接合于半导体基板上的透明基板。上述半导体装置，通常采用包括下列工序的制造方法来制造在设置有多个受光部的半导体晶片上，粘贴电子射线固化性的粘接膜(隔片形成层)的工序；通过掩模对该粘接膜有选择性地照射电子射线，对粘接膜进行曝光的工序；对已曝光的粘接膜进行显影以形成隔片的工序；将透明基板接合于所形成的隔片上的工序；以及切割所得到的半导体晶片与透明基板的接合体的工序(例如，参照专利文献1)。但是，对以往的方法而言，在曝光的工序中，由于粘接膜的粘接面处于露出状态， 所以尘埃等杂质容易附着于粘接膜的表面上，并且一旦杂质附着在粘接膜的表面，则难以去除。其结果是，所附着的杂质妨碍粘接膜的曝光，很难以充分的尺寸精度形成隔片。并且，在曝光的工序中，还存在掩模粘附于粘接膜上的问题。为了防止此类掩模的粘附，也考虑过加大粘接膜与掩模的距离，但若加大粘接膜与掩模的距离，则通过照射在粘接膜上的曝光用光所形成的图像发生模糊现象，导致曝光部分和未曝光部分的界线不清楚或者不稳定，难以以充分的尺寸精度形成隔片。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2008-91399号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的目的在于，提供一种在曝光时可防止掩模或杂质附着于隔片形成层表面上，且可制造具有尺寸精度优良的隔片的半导体晶片接合体的半导体晶片接合体的制造方法；本专利技术的目的还在于，提供可靠性优良的半导体晶片接合体和半导体装置。解决课题的方法上述目的可通过下列(1) (14)所述的本专利技术技术方案来实现。(1) 一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板、以及设置在前述半导体晶片与前述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括隔片形成用膜准备工序，准备具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；粘贴工序，将前述隔片形成用膜的前述隔片形成层粘贴于前述半导体晶片的功能面上；曝光工序，在前述隔片形成用膜的前述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过前述支承基材的方式，有选择性地对前述隔片形成层中应成为前述隔片的部位进行曝光；支承基材去除工序，在前述曝光后去除前述支承基材；显影工序，对曝光的前述隔片形成层进行显影并在前述半导体晶片上形成前述隔片；以及接合工序，将前述透明基板接合于前述隔片的与前述半导体晶片侧相反侧的面上。(2) 一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板、以及设置在前述半导体晶片与前述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括隔片形成用膜准备工序，准备具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；粘贴工序，将前述隔片形成用膜的前述隔片形成层粘贴于前述透明基板上；曝光工序，在前述隔片形成用膜的前述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过前述支承基材的方式，有选择性地对前述隔片形成层中应成为前述隔片的部位进行曝光；支承基材去除工序，在前述曝光后去除前述支承基材；显影工序，对曝光后的前述隔片形成层进行显影并在前述透明基板上形成前述隔片；以及接合工序，将前述半导体晶片的功能面接合于前述隔片的与前述透明基板侧相反侧的面上。(3)如上述(1)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在前述曝光工序中， 以与前述支承基材相对置的方式设置前述掩模时，通过对准设置在前述半导体晶片上的校准标记与设置在前述掩模上的校准标记，从而进行前述掩模的定位。(4)如上述( 所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在前述曝光工序中， 以与前述支承基材相对置的方式设置前述掩模时，通过对准设置在前述透明基板上的校准标记和设置在前述掩模上的校准标记，从而进行前述掩模的定位。(5)如上述(1)至中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述支承基材的可见光透过率为30 100%。(6)如上述(1)至(5)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述隔片形成层的可见光透过率为30 100%。(7)如上述(1)至㈩)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述曝光工序中曝光用光对前述支承基材的透过率为50 100%。(8)如上述(1)至(7)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述支承基材的平均厚度为15 50 μ m。(9)如上述(1)至(8)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述曝光工序中前述掩模与前述支承基材的距离为0 1000 μ m。(10)如上述⑴至(9)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述隔片形成层是由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成。(11)如上述(10)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述碱溶性树脂为 (甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。(12)如上述(10)或者(11)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述热固性树脂是环氧树脂。(13) 一种半导体晶片接合体，其特征在于，通过上述(1)至(12)中任一项所述的方法来制造。(14) 一种半导体装置，其特征在于，通过将上述(1 所述的半导体晶片接合体在对应于前述隔片的位置进行切割、单片化来获得。附图说明图1是表示本专利技术的半导体装置的一个实例的剖面图。图2是表示本专利技术的半导体晶片接合体的一个实例的纵向剖面图。图3是表示本专利技术的半导体晶片接合体的一个实例的平面图。图4是表示本专利技术的半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法的一个实例的工序图。图5是表示本专利技术的半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法的一个实例的工序图。具体实施例方式下面，详细说明本专利技术。<半导体装置(图像传感器)>首先，在说明本专利技术的半导体晶片接合体的制造方法之前，说明通过本专利技术的半导体晶片接合体所制造的半导体装置。图1是表示本专利技术的半导体装置的一个实例的纵向剖面图。此外，在下面的说明中，将图1中的上侧称为“上”、下侧称为“下”。如图1所示，半导体装置(受光装置)100，包含基底基板101、以与基底基板101 对置的方式配置的透明基板102、在基底基板101上形成的受光部103、在受光部103的边缘部形成的隔片104、以及在基底基板101的下面形成的焊锡凸块106。基底基板101是半导体基板，在该半导体基板上设置有未图示的电路(后述半导体晶片所具有的单独电路)。在基底基板101上，设置有几乎横贯其整个面的受光部103。受光部103，例如，为从基底基板101侧依次层叠受光元件和微透镜阵列的构成。透明基板102是以与基底基板101对置的方式被配置，其平面尺寸与基底基板101 的平面尺寸大致相同。透明基板102，例如由丙烯酸树脂基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂 (PET)基板、玻璃基板等来构成。受光部103所具有的微透镜阵列和透明基板102在它们的边缘部直接与隔片104粘接，隔片104是用于粘接基底基板本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板以及设置在所述半导体晶片与所述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括：隔片形成用膜准备工序，准备包含片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；粘贴工序，将所述隔片形成用膜的所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的功能面上；曝光工序，在所述隔片形成用膜的所述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过所述支承基材的方式，有选择性地对所述隔片形成层中应成为所述隔片的部位进行曝光；支承基材去除工序，在所述曝光后去除所述支承基材；显影工序，对曝光后的所述隔片形成层进行显影，在所述半导体晶片上形成所述隔片；以及接合工序，将所述透明基板接合于所述隔片的与所述半导体晶片侧相反侧的面上。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤敏宽，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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