MEMS器件的形成方法技术

一种MEMS器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成图形化的非晶碳层；在所述图形化的非晶碳层上形成第一膜层，所述第一膜层的材料为锗硅、锗或者硅；图形化所述第一膜层形成可动部件；去除所述图形化的非晶碳层。非晶碳层容易去除而且不会污染腔室；另外，用非晶碳层作为牺牲层，工艺兼容性好；并且，材料为锗硅、锗或硅的第一膜层与非晶碳层的粘附性很好，不会出现第一膜层与非晶碳层之间滑动的现象。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种ＭＥＭＳ器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成图形化的非晶碳层；形成第一膜层，覆盖所述图形化的非晶碳层和基底，所述第一膜层的材料为锗硅、锗或者硅；图形化所述第一膜层形成可动部件；去除所述图形化的非晶碳层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛剑宏，唐德明，
申请(专利权)人：上海丽恒光微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31