一种基于注氧隔离技术的黏度传感器芯片的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于注氧隔离技术的黏度传感器芯片的制备方法，本发明专利技术所述芯片的硅微悬臂梁厚度具有易控制以及均匀一致性的特点，并且解决了拾振电阻压阻效应较低的问题，同时，由该芯片封装而成的传感器可以应用在高温场合下；该MEMS黏度传感器黏度测量范围为1mPa·s～100mPa·s、精度优于±10％FS，可以实现在静压值小于100MPa、环境温度-20℃～200℃下在线和小样品量的测量。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种基于注氧隔离技术的黏度传感器芯片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（１）清洗双面抛光的（１００）晶面ＳＯＩ硅片，所述ＳＯＩ硅片由上层单晶硅（１）、二氧化硅埋层（２）和下层单晶硅（３）组成，其中，二氧化硅埋层（２）将上层单晶硅（１）和下层单晶硅（３）隔离开；（２）在距离上层单晶硅（１）上表面０．１μｍ～０．３μｍ下的位置，采用注氧隔离技术形成二氧化硅绝缘隔离层（５），然后通过退火修复注氧隔离过程中对硅片的损坏并使二氧化硅绝缘隔离层（５）的均匀性保持一致，其中，二氧化硅绝缘隔离层（５）将上层单晶硅（１）分割成上下两部分；（３）采用气相淀积技术在步骤（２）得到的器件正面外延其厚度至１μｍ...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵立波，张桂铭，黄恩泽，蒋庄德，王晓坡，刘志刚，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：87