一种中空结构的微阵列电极的制备方法技术

本发明专利技术公开一种微细加工技术领域的中空结构的微阵列电极的制备方法，步骤:1）制作掩膜版；2）在玻璃片上，溅射金属Ti薄层，并作氧化处理，进行甩SU8胶、前烘等处理，实现电极光刻胶结构的图像化；3）采用电沉积技术形成微电极支撑底板；4）再次进行甩SU8胶光刻；5）采用电沉积技术形成中空圆柱为电极；6）溅射Gr/Cu导电层；7）甩正胶光刻；8）电沉积得到微电极第三层；9）进行平坦化，去除光刻胶等。本发明专利技术可用于制备任意形状，高精度的微细电化学加工用具有中空结构的微电极，且易于批量化生产。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
１．一种中空结构的微阵列电极的制备方法，其特征在于包括以下步骤：１）制作掩膜版；２）在玻璃片上，溅射金属Ｔｉ薄层，并作氧化处理，将溅射氧化处理的玻璃片烘干后，再在此玻璃片上依次进行甩负胶、前烘、曝光、中烘、显影处理，根据掩膜版设计的电极形状，实现微电极阵列底板支撑层的图形化；３）在以去胶机去除片上的残留负胶后，进行活化清洗，然后采用电沉积技术，得到镍微电极底板支撑层；４）将电镀得到的镍微阵列电极底板以平面加工技术进行平坦化后，进行活化清洗，并进行烘干，随后再次甩负胶、前烘曝光、中烘、显影处理，根据掩膜版设计的电极形状，实现电极光刻胶结构的图形化；５）重复３），得到镍中空微电极阵列；６）将电沉积得到的镍微阵列电极后以平面加工技术进行平坦化后，在其表面溅射一层Ｇｒ／Ｃｕ导电层；７）将上述溅射了Ｇｒ／Ｃｕ导电层的玻璃片进行烘干后，在其表面甩正胶、前烘、曝光、显影，实现电极端面约束孔的图形化；８）在以去胶机去除片上的残留正胶后，进行活化清洗，然后再次用电沉积技术得到镍中空微电极阵列的第三层；９）在进行平坦化处理后，将该电铸件去负胶、去残留玻璃、Ｔｉ溅射层、Ｇｒ／Ｃｕ导电层，再进行清洗得到光滑的具有中空结构的微电极阵列。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪红，吴静，丁桂甫，赵小林，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：31