晶片封装体的形成方法技术

一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一基底，具有一第一表面及一第二表面；移除部分的该基底以于该基底中形成多个开口，所述开口自该第一表面朝该第二表面延伸或自该第二表面朝该第一表面延伸；在形成所述开口之后，至少一第一部分的该基底成为一第一可移动块体，且至少一第二部分的该基底成为一第二可移动块体，其中该第一可移动块体及该第二可移动块体分别位于所述开口之间；于该基底的该第二表面上设置一保护基板；于该保护基板中形成至少一穿孔；以及于该保护基板上形成至少一导电层，该导电层自该保护基板的一表面延伸至该穿孔之中，并与该第二可移动块体电性连接。本发明专利技术可形成尺寸更小的晶片封装体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于晶片封装体，且特别是有关于微机电系统(MEMS)的晶片封装体。
技术介绍
微机电系统(MEMS)晶片封装体可应用于多种电子产品而日渐重要。顺应人们对电子产品轻、薄、短、小化的需求，业界亟需尺寸更小的微机电系统晶片封装体及其形成方法。
技术实现思路
本专利技术提供一种，包括提供一基底，该基底具有一第一表面及一第二表面；移除部分的该基底以于该基底中形成多个开口，所述开口自该第一表面朝该第二表面延伸或自该第二表面朝该第一表面延伸；在形成所述开口之后，至少一第一部分的该基底成为一第一可移动块体，且至少一第二部分的该基底成为一第二可移动块体，其中该第一可移动块体及该第二可移动块体分别位于所述开口之间；于该基底的该第二表面上设置一保护基板；于该保护基板中形成至少一穿孔；以及于该保护基板上形成至少一导电层，该导电层自该保护基板的一表面延伸至该穿孔之中，并与该第二可移动块体电性连接。本专利技术所述的，该基底包括一半导体基底或一绝缘层上覆半导体基底。本专利技术所述的，在形成所述开口之前，还包括自该基底的该第一表面薄化该基底。本专利技术所述的，还包括自该基底的该第一表面移除部分的该基底以形成一凹槽，该凹槽自该第一表面朝该第二表面延伸。本专利技术所述的，在形成所述开口之前，还包括于该基底的该第一表面上及该凹槽的底部上形成一图案化金属层；于该基底的该第二表面上形成一图案化遮罩层，其中部分的该图案化遮罩层的位置对应于该凹槽的底部上的部分的该图案化金属层的位置；以该图案化遮罩层为罩幕，蚀刻移除部分的该基底以形成所述开口及该第一可移动块体与该第二可移动块体，其中所述开口与该凹槽彼此连通；以及在形成所述开口之后，移除该图案化遮罩层。本专利技术所述的，该图案化金属层的形成包括于该基底的该第一表面上及该凹槽的底部上形成一金属层；以及将该金属层图案化为该图案化金属层，其中部分的该图案化金属层形成于该第二可移动块体上，并形成该第二可移动块体与该导电层之间的导电连接，且其中一另一部分的该图案化金属层形成于该第一可移动块体上，并用作一反射层。本专利技术所述的，还包括在将该金属层图案化时，于该金属层中形成至少一对准图案。本专利技术所述的，该图案化遮罩层的形成包括于该基底的该第二表面上形成一遮罩层；以及以该对准图案为基准，将该遮罩层图案化为该图案化遮罩层，而使部分的该图案化遮罩层的位置对应于该凹槽的底部上的部分的该图案化金属层的位置。本专利技术所述的，还包括于该基底的该第一表面上设置一透明基板，其中该透明基板与该基底的该第一表面上的部分的该图案化金属层相接合。本专利技术所述的，该透明基板与该图案化金属层通过一阳极接合制程而相接合。本专利技术所述的，还包括于该基底的该第一表面上设置一透明基板。本专利技术所述的，还包括于该第一可移动块体上形成一反射层。本专利技术所述的，该导电层与该保护基板直接接触。本专利技术所述的，该导电层通过位于该穿孔的正下方的该基底中的一接垫而与该第二可移动块体电性连接。本专利技术所述的，还包括于该保护基板与该导电层上形成一保护层。本专利技术所述的，还包括将该保护层图案化而使部分的该导电层露出；以及于露出的该导电层上形成一导电结构，该导电结构电性接触该导电层。本专利技术所述的，该保护基板通过一阳极接合制程而设置于该基底的该第二表面上。本专利技术所述的，还包括于该保护基板靠近该第一可移动块体及该第二可移动块体的一侧上形成一凹陷。本专利技术可形成尺寸更小的晶片封装体。附图说明图IA-图IL显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。附图中符号的简单说明如下100 基底；IOOaUOOb 表面；102,104 半导体层；106 绝缘层；108 凹槽；108a 开口 ；110 金属层；112 对准标记；114 透明基板；116、116a 遮罩层；118 保护基板； 120a 凹陷；120b 穿孔；122 导电层；124 保护层；126 导电结构；140a、140b 可移动块体；150 接垫。具体实施例方式以下将详细说明本专利技术实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本专利技术提供许多可供应用的专利技术概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本专利技术的特定方式，非用以限制本专利技术的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及 /或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，5包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。本专利技术一实施例的晶片封装体可用以封装微机电系统晶片，例如是微机电扫描镜 (scanning mirror)。然其应用不限于此，例如在本专利技术的晶片封装体的实施例中，其可应用于各种包含有源元件或无源元件(active or passive elements)、数字电路或模拟电路 (digital or analog circuits)等集成电路的电子兀件(electronic components)，例如(opto electronic devices) ,UMl^M^E (Micro Electro Mechanical System ;MEMS)、微流体系统(micro fluidic systems)或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理感测器(Physical Sensor)。特别是可选择使用晶圆级封装(wafer scale package ；WSP)制程对影像感测元件、发光二极管(light-emitting diodes ;LEDs)、 太阳能电池(solar cells)、射频元件(RF circuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪 (gyroscopes)、微制动器(micro actuators)、表面声波兀件(surface acoustic wave devices)、压力感测器(process sensors)、喷墨头(ink printer heads)或功率模组 (power modules)等半导体晶片进行封装。其中上述晶圆级封装制程主要指在晶圆阶段完成封装步骤后，再予以切割成独立的封装体，然而，在一特定实施例中，例如将已分离的半导体晶片重新分布在一承载晶圆上，再进行封装制程，亦可称之为晶圆级封装制程。另外，上述晶圆级封装制程亦适用于借堆叠(stack)方式安排具有集成电路的多片晶圆，以形成多层集成电路(multi-layer integrated circuit devices)的晶片封装体。以下，以微机电系统(MEMS)晶片的封装为例，配合图式说明本专利技术一实施例的晶片封装体的实施方式。例如，在一实施例中，所封装的微机电系统晶片可包括一微机电扫描镜晶片。图IA-图IL显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。如图IA所示， 提供基底100，其具有表面100a及表面100b。基底100例如包括半导体材料或陶瓷材料。 在一实施例中，基底100为一半导体晶圆(例如是硅晶圆)而便于进行晶圆级封装。采用晶圆级封装来形成晶片封装体可降低成本并节省制程时间。在一实施例中，基底100包括绝缘层上覆半导体基底，例如是绝缘层上覆硅基底(SOI substrate)。在以下的叙述中，基底100以本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，该基底具有一第一表面及一第二表面；移除部分的该基底以于该基底中形成多个开口，所述开口自该第一表面朝该第二表面延伸或自该第二表面朝该第一表面延伸；在形成所述开口之后，至少一第一部分的该基底成为一第一可移动块体，且至少一第二部分的该基底成为一第二可移动块体，其中该第一可移动块体及该第二可移动块体分别位于所述开口之间；于该基底的该第二表面上设置一保护基板；于该保护基板中形成至少一穿孔；以及于该保护基板上形成至少一导电层，该导电层自该保护基板的一表面延伸至该穿孔之中，并与该第二可移动块体电性连接。

【技术特征摘要】
2010.07.09 US 61/363,0521.一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括提供一基底，该基底具有一第一表面及一第二表面；移除部分的该基底以于该基底中形成多个开口，所述开口自该第一表面朝该第二表面延伸或自该第二表面朝该第一表面延伸；在形成所述开口之后，至少一第一部分的该基底成为一第一可移动块体，且至少一第二部分的该基底成为一第二可移动块体，其中该第一可移动块体及该第二可移动块体分别位于所述开口之间；于该基底的该第二表面上设置一保护基板； 于该保护基板中形成至少一穿孔；以及于该保护基板上形成至少一导电层，该导电层自该保护基板的一表面延伸至该穿孔之中，并与该第二可移动块体电性连接。2.根据权利要求1所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该基底包括一半导体基底或一绝缘层上覆半导体基底。3.根据权利要求1所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，在形成所述开口之前， 还包括自该基底的该第一表面薄化该基底。4.根据权利要求1所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括自该基底的该第一表面移除部分的该基底以形成一凹槽，该凹槽自该第一表面朝该第二表面延伸。5.根据权利要求4所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，在形成所述开口之前， 还包括于该基底的该第一表面上及该凹槽的底部上形成一图案化金属层； 于该基底的该第二表面上形成一图案化遮罩层，其中部分的该图案化遮罩层的位置对应于该凹槽的底部上的部分的该图案化金属层的位置；以该图案化遮罩层为罩幕，蚀刻移除部分的该基底以形成所述开口及该第一可移动块体与该第二可移动块体，其中所述开口与该凹槽彼此连通；以及在形成所述开口之后，移除该图案化遮罩层。6.根据权利要求5所述的晶片封装体的形成方法，其特征在于，该图案化金属层的形成包括于该基底的该第一表面上及该凹槽的底部上形成一金属层；以及将该金属层图案化为该图案化金属层，其中部分的该图案化金属层形成于该第二可移动块体上，并形成该第二可移动块体与该导...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建宏，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71