【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种制造ＭＥＭＳ装置的方法，其包括：在衬底上形成电极层；在所述电极层上形成牺牲层；图案化所述牺牲层以形成延伸穿过所述牺牲层的至少一个锥形孔；形成上覆在延伸穿过所述牺牲层的所述锥形孔上的包含孔的掩膜层，所述掩膜层包括在所述掩膜层中的所述孔周围延伸的悬置部分；在所述掩膜层上沉积支撑层；经由剥离工艺去除所述掩膜层，从而形成至少部分位于延伸穿过所述牺牲层的所述锥形孔内的支撑结构；以及在邻近于所述支撑结构处形成可移动层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：桂成斌，笹川照夫，董明豪，王春明，斯蒂芬·泽，
申请(专利权)人：高通MEMS科技公司，
类型：发明
国别省市：US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。